Фарқи байни MOSFET ва IGBT чист? Олукей ба саволҳои шумо ҷавоб хоҳад дод!

Ҳамчун унсурҳои коммутатсионӣ, MOSFET ва IGBT аксар вақт дар схемаҳои электронӣ пайдо мешаванд. Онҳо инчунин аз рӯи намуди зоҳирӣ ва параметрҳои хос якхелаанд. Ман боварӣ дорам, ки бисёриҳо ҳайрон мешаванд, ки чаро баъзе схемаҳо бояд MOSFET-ро истифода баранд, дар ҳоле ки дигарон ин корро мекунанд. IGBT?

Фарқи байни онҳо чӣ гуна аст? Баъдӣ,Олукейба саволҳои шумо ҷавоб хоҳад дод!

аMOSFET?

MOSFET, номи пурраи чинӣ транзистори эффекти нимноқилҳои металлӣ-оксиди аст. Азбаски дарвозаи ин транзистори эффекти саҳроӣ бо қабати изолятсия ҷудо карда шудааст, онро транзистори саҳроии изолятсияшуда низ меноманд. MOSFET-ро метавон ба ду намуд тақсим кард: аз рӯи қутбияти "канал" (интиқолдиҳандаи корӣ), ки одатан N MOSFET ва P MOSFET номида мешавад, "N-type" ва "P-type".

Худи MOSFET диодҳои паразитии худро дорад, ки барои пешгирии сӯхтори MOSFET ҳангоми аз ҳад зиёди VDD истифода мешавад. Азбаски пеш аз он ки шиддати аз ҳад зиёд ба MOSFET зарар расонад, диод аввал баръакс вайрон мешавад ва ҷараёни калонро ба замин равона мекунад ва ба ин васила аз сӯхтани MOSFET пешгирӣ мекунад.

IGBT чист?

IGBT (Insulated Gate Bipolyar Transistor) як дастгоҳи нимноқилест, ки аз транзистор ва MOSFET иборат аст.

Рамзҳои схемаи IGBT то ҳол ягона карда нашудаанд. Ҳангоми кашидани диаграммаи схематикӣ, одатан рамзҳои триод ва MOSFET гирифта мешаванд. Дар айни замон, шумо метавонед ҳукм кунед, ки оё он IGBT ё MOSFET аст аз модели дар диаграммаи схематикӣ нишондодашуда.

Дар айни замон, шумо инчунин бояд диққат диҳед, ки оё IGBT дорои диодҳои бадан аст. Агар он дар расм қайд нашуда бошад, ин маънои онро надорад, ки он вуҷуд надорад. Агар дар маълумоти расмӣ тартиби дигаре пешбинӣ нашуда бошад, ин диод мавҷуд аст. Диоди бадан дар дохили IGBT паразитӣ нест, балки махсус барои муҳофизат кардани шиддати тобоварии баръакси IGBT сохта шудааст. Онро инчунин FWD (диоди озод) меноманд.

Сохтори дохилии ин ду гуногун аст

Се қутби MOSFET сарчашма (S), дренаж (D) ва дарвоза (G) мебошанд.

Се қутби IGBT коллектор (C), эмитент (E) ва дарвоза (G) мебошанд.

IGBT тавассути илова кардани қабати иловагӣ ба дренажии MOSFET сохта мешавад. Сохтори дохилии онҳо чунин аст:

Майдонҳои татбиқи ин ду гуногунанд

Сохторҳои дохилии MOSFET ва IGBT гуногунанд, ки соҳаҳои татбиқи онҳоро муайян мекунанд.

Аз сабаби сохтори MOSFET, он одатан метавонад як ҷараёни калонро ба даст орад, ки метавонад ба KA бирасад, аммо қобилияти тобоварии ҳатмӣ ба шиддат мисли IGBT қавӣ нест. Самтҳои асосии татбиқи он интиқоли манбаъҳои барқ, балластҳо, гармидиҳии индуксионии баландбасомад, мошинҳои кафшерии баландбасомади инвертер, манбаъҳои барқии алоқа ва дигар соҳаҳои таъминоти баландбасомад мебошанд.

IGBT метавонад қувваи зиёд, ҷараён ва шиддат тавлид кунад, аммо басомад он қадар баланд нест. Дар айни замон, суръати гузариши сахти IGBT метавонад ба 100KHZ расад. IGBT ба таври васеъ дар мошинҳои кафшерӣ, инвертерҳо, табдилдиҳандаҳои басомад, таъминоти барқи электролитӣ, гармидиҳии индуксионии ултрасадо ва дигар соҳаҳо истифода мешавад.

Хусусиятҳои асосии MOSFET ва IGBT

MOSFET дорои хусусиятҳои импеданси баланди вуруд, суръати гузариш зуд, устувории хуби гармӣ, ҷараёни назорати шиддат ва ғайра мебошад. Дар схема, он метавонад ҳамчун пурқувват, коммутатори электронӣ ва дигар мақсадҳо истифода шавад.

Ҳамчун як навъи нави дастгоҳи нимноқилҳои электронӣ, IGBT дорои хусусиятҳои импеданси баланди вуруд, истеъмоли қувваи барқи паст, схемаи оддии идоракунӣ, муқовимат ба шиддати баланд ва таҳаммулпазирии бузурги ҷараён мебошад ва дар схемаҳои гуногуни электронӣ васеъ истифода мешавад.

Схемаи идеалии эквивалентии IGBT дар расми зер нишон дода шудааст. IGBT аслан омезиши MOSFET ва транзистор аст. MOSFET дорои нуқсони муқовимати баланд аст, аммо IGBT ин норасоиро бартараф мекунад. IGBT то ҳол дар шиддати баланд муқовимати паст дорад. .

Умуман, бартарии MOSFET дар он аст, ки он дорои хусусиятҳои хуби басомади баланд аст ва метавонад дар басомади садҳо кГц ва то МГс кор кунад. Камбудӣ дар он аст, ки муқовимат калон аст ва истеъмоли қувваи барқ дар ҳолатҳои баландшиддат ва ҷараён калон аст. IGBT дар ҳолатҳои басомади паст ва қувваи баланд, бо муқовимати хурд ва шиддати тобовар хуб кор мекунад.

MOSFET ё IGBT-ро интихоб кунед

Дар схема, интихоби MOSFET ҳамчун найчаи интиқоли барқ ё IGBT саволест, ки муҳандисон аксар вақт дучор меоянд. Агар омилҳо ба монанди шиддат, ҷараён ва қудрати коммутатсионӣ ба назар гирифта шаванд, нуктаҳои зеринро метавон ҷамъбаст кард:

Одамон аксар вақт мепурсанд: "Оё MOSFET ё IGBT беҳтар аст?" Дар асл, байни ин ду фарқияти хуб ё бад вуҷуд надорад. Аз ҳама муҳимаш дидани татбиқи воқеии он аст.

Агар шумо то ҳол дар бораи фарқияти байни MOSFET ва IGBT савол дошта бошед, шумо метавонед барои тафсилот бо Olukey тамос гиред.

Olukey асосан маҳсулоти WINSOK-и миёна ва пасти MOSFET-ро паҳн мекунад. Маҳсулот дар саноати ҳарбӣ, панелҳои ронандагии LED / LCD, тахтаҳои ронандаи мотор, пуркунии зуд, сигорҳои электронӣ, мониторҳои LCD, таъминоти барқ, асбобҳои хурди маишӣ, маҳсулоти тиббӣ ва маҳсулоти Bluetooth васеъ истифода мешаванд. Тарозуи электронӣ, электроникаи автомобилӣ, маҳсулоти шабакавӣ, асбобҳои маишӣ, таҷҳизоти периферии компютер ва маҳсулоти гуногуни рақамӣ.