Ин бастабандишуда астMOSFETсенсори инфрасурхи пироэлектрикӣ. Чаҳорчӯбаи росткунҷа равзанаи ҳассос аст. PIN G терминали заминӣ, пин D дренажи дохилии MOSFET ва S pin манбаи дохилии MOSFET мебошад. Дар занҷир G ба замин, D ба манбаи барқ пайваст карда шудааст, сигналҳои инфрасурх аз тиреза ворид мешаванд ва сигналҳои электрикӣ аз S.
Дарвозаи суд Г
Драйвери MOS асосан нақши ташаккули шакли мавҷ ва такмили ронандагӣ дорад: Агар шакли мавҷи сигнали GMOSFETба қадри кофӣ нишеб нест, он дар марҳилаи гузариш боиси талафоти зиёди барқ мегардад. Таъсири ҷониби он паст кардани самаранокии табдилдиҳии схема мебошад. MOSFET табларзаи шадид дорад ва аз гармӣ ба осонӣ осеб мерасонад. Дар байни MOSFETGS як иқтидори муайян мавҷуд аст. , агар қобилияти рондани сигнали G нокифоя бошад, он ба вақти ҷаҳиши шакли мавҷ таъсири ҷиддӣ мерасонад.
Қутби GS-ро кӯтоҳ кунед, сатҳи R×1-и мултиметрро интихоб кунед, сими санҷишии сиёҳро ба сутуни S ва сими санҷишии сурхро ба сутуни D пайваст кунед. Муқовимат бояд аз чанд Ом то аз даҳ Ом зиёд бошад. Агар маълум шавад, ки муќовимати пинњои муайян ва ду пинњи он беохир аст ва пас аз иваз кардани симњои санљишњо он беохир аст, тасдиќ мешавад, ки ин пин ќутби G аст, зеро он аз ду пинњи дигар изолятсия карда шудааст.
Сарчашмаи S ва резиши D-ро муайян кунед
Мултиметрро ба R×1k таъин кунед ва муқовиматро байни се пин чен кунед. Усули пешбари санҷиши мубодиларо барои чен кардани муқовимат ду маротиба истифода баред. Муқовимате, ки арзиши муқовимати камтар дорад (одатан аз чанд ҳазор Ом то зиёда аз даҳ ҳазор Ом) муқовимати пеш аст. Дар айни замон, сими санҷишии сиёҳ қутби S мебошад ва сими санҷишии сурх ба қутби D пайваст карда мешавад. Аз сабаби шароити гуногуни санҷиш, арзиши ченшудаи RDS(on) аз арзиши муқаррарии дар дастур додашуда баландтар аст.
Дар бораиMOSFET
Транзистор канали навъи N дорад, бинобар ин онро N-канал меномандMOSFET, ёNMOS. Канали P-канали MOS (PMOS) FET низ вуҷуд дорад, ки PMOSFET аст, ки аз BACKGATE-и сабуки омехташудаи N-намуд ва сарчашма ва дренажи навъи P иборат аст.
Новобаста аз намуди N ё P-намуди MOSFET, принсипи кори он аслан як аст. MOSFET ҷараёнро дар дренажии терминали баромад тавассути шиддате, ки ба дарвозаи терминали воридотӣ истифода мешавад, назорат мекунад. MOSFET як дастгоҳи бо шиддат идорашаванда аст. Он хусусияти дастгоҳро тавассути шиддате, ки ба дарвоза дода мешавад, назорат мекунад. Вақте ки транзистор барои гузариш истифода мешавад, он таъсири нигоҳдории зарядро ба вуҷуд намеорад. Аз ин рӯ, ҳангоми иваз кардани барномаҳо,MOSFETsбояд назар ба транзисторхо тезтар иваз карда шаванд.
FET инчунин номи худро аз он мегирад, ки вуруди он (дарвоза номида мешавад) ба ҷараёне, ки тавассути транзистор мегузарад, тавассути проексияи майдони электрикӣ ба қабати изолятсионӣ таъсир мерасонад. Дар асл, аз ин изолятор ҷараён намегузарад, бинобар ин ҷараёни GATE найи FET хеле хурд аст.
FET маъмултарин қабати тунуки диоксиди кремнийро ҳамчун изолятор дар зери GATE истифода мебарад.
Ин навъи транзисторро транзистори нимноқилҳои оксиди металлӣ (MOS) ё транзистори саҳроии нимноқилҳои оксиди металлӣ (MOSFET) меноманд. Азбаски MOSFETҳо хурдтар ва самараноктар аз нерӯи барқ мебошанд, онҳо дар бисёр барномаҳо транзисторҳои биполяриро иваз карданд.
Вақти фиристодан: Ноябр-10-2023
