MOSFETsвасеъ истифода мешаванд. Ҳоло баъзе микросхемаҳои интегралӣ-миқёси калон MOSFET истифода мешаванд, функсияи асосӣ ва транзистори BJT, коммутатсионӣ ва тақвият мебошанд. Асосан триоди BJT метавонад дар ҷое истифода шавад ва дар баъзе ҷойҳо иҷроиш аз триод беҳтар аст.
Ампификацияи MOSFET
MOSFET ва BJT triode, гарчанде ки ҳарду дастгоҳи пурқувваткунандаи нимноқилҳо, аммо бартариҳои бештар аз триод, ба монанди муқовимати баланди вуруд, манбаи сигнал қариб ки ҷараён надорад, ки ба устувории сигнали вуруд мусоидат мекунад. Он як дастгоҳи идеалӣ ҳамчун пурқувваткунандаи марҳилаи вуруд аст ва инчунин бартариҳои садои паст ва устувории хуби ҳарорат дорад. Он одатан ҳамчун пешакии пурқувват барои схемаҳои пурқувваткунии аудио истифода мешавад. Бо вуҷуди ин, азбаски он як дастгоҳи ҷараён бо шиддат идорашаванда аст, ҷараёни дренажӣ бо шиддати байни манбаи дарвоза назорат карда мешавад, коэффисиенти афзояндаи интиқоли басомади паст умуман калон нест, бинобар ин қобилияти пурқувваткунӣ суст аст.
Таъсири гузариш аз MOSFET
MOSFET ҳамчун коммутатори электронӣ истифода мешавад, зеро танҳо ба гузаронандагии полион такя мекунад, аз сабаби ҷараёни асосӣ ва таъсири нигоҳдории заряд чунин триоди BJT вуҷуд надорад, бинобар ин суръати коммутатсионӣ аз MOSFET нисбат ба триод тезтар аст, ҳамчун найчаи коммутатсионӣ аксар вақт барои ҳолатҳои ҷараёнҳои баландбасомад истифода мешавад, ба монанди иваз кардани манбаъҳои барқ, ки дар MOSFET дар ҳолати баландбасомади баланд-ҷории кор истифода мешаванд. Дар муқоиса бо коммутаторҳои триодии BJT, коммутаторҳои MOSFET метавонанд дар шиддатҳо ва ҷараёнҳои хурдтар кор кунанд ва ба вафли кремнийӣ пайваст кардан осонтаранд, аз ин рӯ онҳо дар микросхемаҳои интегралӣ-миқёси калон васеъ истифода мешаванд.
Ҳангоми истифода чораҳои эҳтиётӣ кадомҳояндMOSFETs?
MOSFETҳо нисбат ба триодҳо нозуктаранд ва ҳангоми истифодаи нодуруст метавонанд ба осонӣ осеб расонанд, аз ин рӯ ҳангоми истифодаи онҳо эҳтиёткор будан лозим аст.
(1) Барои мавридҳои гуногуни истифода навъи мувофиқи MOSFET-ро интихоб кардан лозим аст.
(2) MOSFET-ҳо, махсусан MOSFET-ҳои дарвозаи изолятсияшуда, импеданси баланди вуруд доранд ва ҳангоми истифода нашудан бояд ба ҳар як электрод кӯтоҳ карда шаванд, то аз сабаби заряди индуктивии дарвоза осеб набинад.
(3) Шиддати манбаи дарвозаи узвҳои MOSFET-ро тағир додан мумкин нест, аммо онро дар ҳолати схемаи кушод нигоҳ доштан мумкин аст.
(4) Барои нигоҳ доштани импеданси баланди вуруди MOSFET, қубур бояд аз намӣ ҳифз карда шавад ва дар муҳити истифода хушк нигоҳ дошта шавад.
(5) Объектҳои барқгиранда (аз қабили оҳани кафшер, асбобҳои санҷишӣ ва ғ.), ки бо MOSFET тамос мегиранд, бояд ба замин пайваст карда шаванд, то ба қубур осеб нарасонанд. Хусусан ҳангоми кафшер кардани дарвозаи изолятсионии MOSFET, мувофиқи манбаъ - дарвозаи тартиби пайдарпай кафшер, беҳтар аст, ки пас аз хомӯш кардани барқ кафшер кунед. Қувваи оҳани кафшер ба 15 ~ 30 Вт мувофиқ аст, вақти кафшер набояд аз 10 сония зиёд бошад.
(6) дарвозаи изолятсионии MOSFET-ро бо мултиметр санҷидан мумкин нест, онро танҳо бо озмоишкунанда санҷидан мумкин аст ва танҳо пас аз дастрас шудан ба озмоишгар ноқилҳои ноқилҳои кӯтоҳи электродҳоро хориҷ кардан мумкин аст. Ҳангоми хориҷ кардан, пеш аз баровардан электродҳоро кӯтоҳ пайваст кардан лозим аст, то аз боло рафтани дарвоза пешгирӣ карда шавад.
(7) Ҳангоми истифодаMOSFETsбо рахҳои субстрат, рахҳои зеризаминӣ бояд дуруст пайваст карда шаванд.
Вақти фиристодан: апрел-23-2024
