Вазифаҳои MOSFET чист?

Ду намуди асосии MOSFET вуҷуд дорад: навъи пайвастшавӣ ва намуди дарвозаи изолятсияшуда. Ҷузъи MOSFET (JFET) номгузорӣ шудааст, зеро он дорои ду гузаргоҳи PN ва дарвозаи изолятсияшуда мебошад.MOSFET(JGFET) ном дорад, зеро дарвоза аз электродҳои дигар комилан изолятсия карда шудааст. Дар айни замон, дар байни MOSFET-ҳои дарвозаи изолятсияшуда, маъмултарин MOSFET истифода мешавад, ки MOSFET номида мешавад (металл-оксиди нимноқил MOSFET); Илова бар ин, MOSFET-ҳои PMOS, NMOS ва VMOS, инчунин модулҳои қувваи ба наздикӣ ба кор андохташуда πMOS ва VMOS ва ғайра мавҷуданд.

 

Мувофиқи маводи гуногуни нимноқилҳои канал, намуди пайвастшавӣ ва намуди дарвозаи изолятсия ба канал ва канали P тақсим карда мешаванд. Агар аз рӯи ҳолати ноқилӣ тақсим карда шавад, MOSFET-ро метавон ба намуди камшавӣ ва намуди такмилдиҳӣ тақсим кард. MOSFET-ҳои пайвастагӣ ҳама намуди тамомшавӣ мебошанд ва MOSFET-ҳои дарвозаи изолятсияшуда ҳам намуди камшавӣ ва ҳам намуди такмилдиҳӣ мебошанд.

Транзисторҳои эффекти саҳроиро ба транзисторҳои эффекти саҳроӣ ва MOSFET тақсим кардан мумкин аст. MOSFETҳо ба чор категория тақсим мешаванд: навъи N-канал ва навъи такмилдиҳӣ; Навъи камшавии канали P ва навъи такмилдиҳӣ.

 

Хусусиятҳои MOSFET

Хусусияти MOSFET ин шиддати дарвозаи ҷанубии UG мебошад; ки ID-и ҷорӣ резиши онро назорат мекунад. Дар муқоиса бо транзисторҳои оддии биполярӣ, MOSFETҳо дорои хусусиятҳои импеданси баланди вуруд, садои паст, диапазони калони динамикӣ, истеъмоли ками нерӯ ва ҳамгироии осон мебошанд.

 

Вақте ки қимати мутлақи шиддати манфии ғаразнок (-UG) зиёд мешавад, қабати камшавӣ зиёд мешавад, канал кам мешавад ва ID ҷараёни дренаж кам мешавад. Вақте ки арзиши мутлақи шиддати манфии манфӣ (-UG) кам мешавад, қабати камшавӣ кам мешавад, канал зиёд мешавад ва ID ҷараёни дренажӣ меафзояд. Дидан мумкин аст, ки ID-и ҷараёни дренажӣ аз ҷониби шиддати дарвоза идора карда мешавад, аз ин рӯ MOSFET як дастгоҳи бо шиддат идорашаванда аст, яъне тағирот дар ҷараёни баромад тавассути тағирёбии шиддати воридот назорат карда мешавад, то амплификация ва дигар максадхо.

 

Мисли транзисторҳои биполярӣ, вақте ки MOSFET дар схемаҳо ба монанди пурқувват истифода мешавад, ба дарвозаи он шиддати ғаразнок низ илова карда мешавад.

Дарвозаи найчаи эффекти майдони пайвастшавӣ бояд бо шиддати баръакс татбиқ карда шавад, яъне ба найчаи канали N шиддати дарвоза ва ба қубури канали P як чанголи дарвозаи мусбат татбиқ карда шавад. Дарвозаи мустаҳкамшудаи изолятсияшудаи MOSFET бояд шиддати дарвозаро ба пеш истифода барад. Шиддати дарвозаи MOSFET-и изолятсия метавонад мусбат, манфӣ ё "0" бошад. Усулҳои илова кардани ғаразҳо усули ғарази собит, усули худтаъминкунӣ, усули пайвасткунии мустақим ва ғайра мебошанд.

MOSFETпараметрҳои зиёд дорад, аз ҷумла параметрҳои DC, параметрҳои AC ва параметрҳои маҳдуд, аммо дар истифодаи муқаррарӣ, шумо бояд танҳо ба параметрҳои асосии зерин диққат диҳед: ҷараёнҳои резиши тофта-манбаи IDSS шиддати пайвастшавӣ Up, (найчаи пайвастшавӣ ва ҳолати камшавӣ изолятсияшуда) қубури дарвоза, ё шиддати UT (найчаи изолятсионии изолятсияшуда), интиқоли gm, шиддати вайроншавии дренаж-манбаи BUDS, паҳншавии ҳадди ниҳоии қувваи барқ ​​PDSM ва ҳадди ниҳоии ҷараёни резиши IDSM.

(1) Сарчашмаи ҷараён тофташуда

Ҷараёни манбаи дренажии IDSS ба ҷараёни манбаи дренаж ишора мекунад, вақте ки шиддати дарвоза UGS = 0 дар як гузаргоҳ ё дарвозаи изолятсионии MOSFET тамом мешавад.

(2) Шиддати фишурда

Шиддати фишурдаи UP ба шиддати дарвоза ишора мекунад, вақте ки пайвасти манбаи дренаж дар як узв ё дарвозаи изолятсионии навъи MOSFET қатъ карда мешавад. Тавре ки дар 4-25 барои каҷи UGS-ID-и найи канали N нишон дода шудааст, маънои IDSS ва UP-ро равшан дидан мумкин аст.

(3) Шиддати фаъол

Шиддати фаъолшавии UT ба шиддати дарвоза ишора мекунад, вақте ки пайвастшавӣ ба дренаж танҳо дар дарвозаи изолятсионии мустаҳкамшудаи MOSFET анҷом дода мешавад. Дар расми 4-27 каљи UGS-ID-и найи канали N нишон дода шудааст ва маънои UT-ро равшан дидан мумкин аст.

(4) гузаранда

Transconductance gm қобилияти UGS-и шиддати дарвоза-манбаъро барои идора кардани ID-и ҷараёни дренаж, яъне таносуби тағирёбии ИД-и ҷараёни дренаж ба тағирёбии шиддати UGS-и дарвоза-манбаъро ифода мекунад. 9м як параметри муҳим барои чен кардани қобилияти тақвияти он астMOSFET.

(5) Шиддати вайроншавии манбаъи дренаж

BUDS шиддати вайроншавии дренаж-манбаъ ба шиддати максималии манбаи дренаж ишора мекунад, ки MOSFET метавонад ҳангоми доимии шиддати дарвозаи UGS қабул кунад. Ин параметри маҳдудкунанда аст ва шиддати корӣ ба MOSFET бояд камтар аз BUDS бошад.

(6) Максимум паҳншавии қувваи барқ

Ҳадди ниҳоии паҳншавии қувваи барқ ​​PDSM инчунин як параметри маҳдуд аст, ки ба ҳадди аксар паҳншавии нерӯи дренажӣ, ки бидуни бад шудани кори MOSFET иҷозат дода мешавад, дахл дорад. Ҳангоми истифода, истеъмоли воқеии қувваи MOSFET бояд аз PDSM камтар бошад ва маржаи муайянро тарк кунад.

(7) Максимум ҷараёнҳои дренаж-манбаи

Ҳадди ниҳоии ҷараёнҳои резиши манбаъи IDSM як параметри дигари маҳдуд аст, ки ба ҷараёнҳои максималии иҷозатдодашуда дар байни дренаж ва манбаъ ҳангоми кори муқаррарии MOSFET дахл дорад. Ҷараёни кории MOSFET набояд аз IDSM зиёд бошад.

1. MOSFET метавонад барои пурзӯр истифода шавад. Азбаски импеданси вуруди пурқувваткунандаи MOSFET хеле баланд аст, конденсатори пайвастшавӣ метавонад хурд бошад ва конденсаторҳои электролитикиро истифода бурдан лозим нест.

2. Импеданси баланди вуруди MOSFET барои табдили импеданс хеле мувофиқ аст. Он аксар вақт барои табдили импеданс дар марҳилаи вуруди пурқувваткунакҳои бисёрзинагӣ истифода мешавад.

3. MOSFET метавонад ҳамчун муқовимати тағйирёбанда истифода шавад.

4. MOSFET метавонад ба осонӣ ҳамчун манбаи доимии ҷорӣ истифода шавад.

5. MOSFET метавонад ҳамчун коммутатор электронӣ истифода шавад.

 

MOSFET дорои хусусиятҳои муқовимати пасти дохилӣ, шиддати баланд, гузариши зуд ва энергияи баланди тарма мебошад. Фосилаи ҷорӣ тарҳрезишуда 1A-200A ва шиддати шиддат 30V-1200V аст. Мо метавонем параметрҳои барқро мувофиқи соҳаҳои татбиқи муштарӣ ва нақшаҳои барномавӣ барои беҳтар кардани эътимоднокии маҳсулот, самаранокии умумии табдил ва рақобатпазирии нархи маҳсулот танзим кунем.

 

Муқоисаи транзистор бо MOSFET

(1) MOSFET як унсури назорати шиддат аст, дар ҳоле ки транзистор унсури назорати ҷорӣ мебошад. Вақте ки аз манбаи сигнал танҳо миқдори ками ҷараён гирифта мешавад, MOSFET бояд истифода шавад; хангоми паст будани шиддати сигнал ва аз манбаи сигнал гирифтани микдори зиёди чараён ичозат дода мешавад, транзисторро истифода бурдан лозим аст.

(2) MOSFET барои интиқоли нерӯи барқ ​​аксар интиқолдиҳандаҳоро истифода мебарад, аз ин рӯ онро дастгоҳи якқутбӣ меноманд, дар ҳоле ки транзисторҳо ҳам интиқолдиҳандагони аксарият ва ҳам интиқолдиҳандагони ақаллиятҳоро доранд. Онро дастгоҳи биполярӣ меноманд.

(3) Сарчашма ва дренажии баъзе MOSFET-ҳо метавонанд ба ҷои ҳамдигар истифода шаванд ва шиддати дарвоза метавонад мусбат ё манфӣ бошад, ки нисбат ба транзисторҳо чандиртар аст.

(4) MOSFET метавонад дар шароити ҷараёнҳои хеле хурд ва шиддати хеле паст кор кунад ва раванди истеҳсоли он метавонад ба осонӣ бисёр MOSFETҳоро дар вафли кремний ҳамгиро кунад. Аз ин рӯ, MOSFETs дар микросхемаҳои интегралӣ-миқёси калон васеъ истифода мешуданд.

 

Сифат ва қутбияти MOSFET-ро чӣ гуна баҳо додан мумкин аст

Диапазони мултиметрро ба RX1K интихоб кунед, сими санҷишии сиёҳро ба қутби D ва сими санҷишии сурхро ба сутуни S пайваст кунед. Ба сутунҳои G ва D дар як вақт бо дасти худ ламс кунед. MOSFET бояд дар ҳолати интиқоли фаврӣ бошад, яъне сӯзани метр ба мавқеъи муқовимати хурдтар ҳаракат мекунад. , ва он гоҳ сутунҳои G ва S-ро бо дастони худ ламс кунед, MOSFET набояд ҷавоб диҳад, яъне сӯзани ҳисобкунак ба ҳолати сифр бармегардад. Дар айни замон, бояд ҳукм кард, ки MOSFET як найчаи хуб аст.

Диапазони мултиметрро то RX1K интихоб кунед ва муқовиматро байни се пинҳои MOSFET чен кунед. Агар муқовимат байни як пин ва ду пинҳои дигар беохир бошад ва пас аз табодули симҳои санҷишӣ он ҳоло ҳам беохир бошад, пас ин пин қутби G аст ва ду пинҳои дигар қутби S ва қутби D мебошанд. Пас аз мултиметр барои чен кардани арзиши муқовимат байни қутби S ва қутби D як маротиба истифода баред, симҳои санҷиширо иваз кунед ва бори дигар чен кунед. Оне, ки арзиши муқовимат камтар аст, сиёҳ аст. Сими санҷишӣ ба қутби S ва сими санҷишии сурх ба қутби D пайваст карда шудааст.

 

Муайян кардани MOSFET ва чораҳои эҳтиётии истифода

1. Барои муайян кардани MOSFET аз мултиметри ишоракунанда истифода баред

1) Барои муайян кардани электродҳои пайвасти MOSFET усули ченкунии муқовиматро истифода баред

Мувофиқи падидае, ки арзишҳои муқовимати пеш ва баръакси пайванди PN-и MOSFET гуногунанд, се электроди пайванди MOSFET-ро муайян кардан мумкин аст. Усули мушаххас: Мултиметрро ба диапазони R×1k насб кунед, ҳар ду электродро интихоб кунед ва мутаносибан қимати муқовимати пеш ва баръакси онҳоро чен кунед. Вақте ки арзишҳои муқовимати пеш ва баръакси ду электрод баробаранд ва якчанд ҳазор Ом мебошанд, он гоҳ ду электрод мутаносибан дренажи D ва манбаи S мебошанд. Азбаски барои узвҳои MOSFETs, дренаж ва манбаъ ивазшавандаанд, электроди боқимонда бояд дарвозаи G бошад. Шумо инчунин метавонед ба сими санҷишии сиёҳи мултиметр (сурхи санҷиши сурх низ қобили қабул аст) ба ҳама гуна электрод ламс кунед ва сими дигари санҷиш ба барои чен кардани арзиши муқовимат ба ду электроди боқимонда пай дар пай ламс кунед. Вақте ки арзишҳои муқовимате, ки ду маротиба чен карда шудаанд, тақрибан баробаранд, электроди дар тамос бо сими санҷишии сиёҳ дарвоза ва ду электроди дигар мутаносибан дренаж ва манбаъ мебошанд. Агар арзишҳои муқовимате, ки ду маротиба чен карда шудаанд, ҳарду хеле калон бошанд, ин маънои онро дорад, ки он самти баръакси пайванди PN аст, яъне ҳардуи онҳо муқовимати баръакс мебошанд. Муайян кардан мумкин аст, ки он N-канал MOSFET аст ва сурохии санҷишии сиёҳ ба дарвоза пайваст аст; агар арзишҳои муқовимат ду маротиба чен карда шаванд, Қиматҳои муқовимат хеле хурданд, ки ин нишон медиҳад, ки он як гузариши пешакии PN, яъне муқовимати пеш аст ва муайян карда шудааст, ки MOSFET канали P аст. Роҳи санҷиши сиёҳ низ ба дарвоза пайваст карда шудааст. Агар вазъияти дар боло зикршуда рух надиҳад, шумо метавонед симҳои санҷишии сиёҳ ва сурхро иваз кунед ва то муайян кардани шабака санҷишро мувофиқи усули дар боло зикршуда гузаронед.

 

2) Барои муайян кардани сифати MOSFET усули андозагирии муқовиматро истифода баред

Усули андозагирии муқовимат истифодаи мултиметр барои чен кардани муқовимат байни манбаи MOSFET ва дренаж, дарвоза ва манбаъ, дарвоза ва дренаж, дарвозаи G1 ва дарвозаи G2 мебошад, то муайян кунад, ки оё он ба арзиши муқовимат дар дастури MOSFET нишон дода шудааст. Роҳбарият хуб ё бад аст. Усули мушаххас: Аввалан, мултиметрро ба диапазони R×10 ё R×100 насб кунед ва муқовиматро байни манбаи S ва дренажи D, одатан дар ҳудуди даҳҳо Ом то якчанд ҳазор Ом чен кунед (инро дар дастур, ки найҳои моделҳои гуногун, арзишҳои муқовимати онҳо гуногун аст), агар арзиши муқовимати ченшуда бузургтар аз арзиши муқаррарӣ бошад, он метавонад аз сабаби алоқаи дохилӣ суст; агар арзиши муқовимати ченшуда беохир бошад, он метавонад сутуни шикастаи дохилӣ бошад. Сипас мултиметрро ба диапазони R×10k насб кунед ва сипас арзишҳои муқовиматро байни дарвозаҳои G1 ва G2, байни дарвоза ва манбаъ ва байни дарвоза ва дренаж чен кунед. Вақте ки арзишҳои муқовимати ченшуда ҳама беохиранд, ин маънои онро дорад, ки қубур муқаррарӣ аст; агар арзишҳои муқовимати дар боло зикршуда хеле хурд бошанд ё роҳе мавҷуд бошад, ин маънои онро дорад, ки найча бад аст. Бояд қайд кард, ки агар ду дарвоза дар найча шикаста шаванд, барои муайян кардан усули ивазкунии ҷузъҳоро метавон истифода бурд.

 

3) Усули вуруди сигнали индуксиониро барои ҳисоб кардани қобилияти пурқувваткунии MOSFET истифода баред

Усули мушаххас: Сатҳи R×100-и муқовимати мултиметриро истифода баред, сими санҷишии сурхро ба манбаи S ва сими санҷишии сиёҳро ба дренаж D пайваст кунед. Ба MOSFET шиддати таъминоти барқи 1,5В-ро илова кунед. Дар айни замон, арзиши муқовимат байни дренаж ва манбаъ тавассути сӯзани метр нишон дода мешавад. Сипас дарвозаи G-и узвҳои MOSFET-ро бо дасти худ часпонед ва сигнали шиддати индуксионии бадани инсонро ба дарвоза илова кунед. Хамин тавр, аз таъсири пурзуркунандаи найча шиддати дренаж-манбаи VDS ва чараёни дренаж Ib тагйир меёбад, яъне муқовимати байни дренаж ва манбаъ тағйир меёбад. Аз ин ру мушохида кардан мумкин аст, ки сузани метр ба микдори зиёд чилва мекунад. Агар сӯзани сӯзани торҳои дастӣ каме ҳаракат кунад, ин маънои онро дорад, ки қобилияти пурқувваткунии найча суст аст; агар сӯзан хеле ҷунбида шавад, ин маънои онро дорад, ки қобилияти пурқувваткунии найча калон аст; агар сӯзан ҳаракат накунад, ин маънои онро дорад, ки найча бад аст.

 

Мувофиқи усули дар боло зикршуда, мо барои чен кардани пайванди MOSFET 3DJ2F миқёси R×100-и мултиметрро истифода мебарем. Аввал электроди G-и найро кушоед ва муқовимати RDS-ро ба 600 Ом чен кунед. Пас аз бо даст доштан электроди Г-ро доштан сӯзани метр ба тарафи чап ҳаракат мекунад. Муқовимати нишондодашудаи RDS 12kΩ аст. Агар сӯзани метр калонтар шавад, ин маънои онро дорад, ки қубур хуб аст. , ва дорои қобилияти бештари тақвият.

 

Ҳангоми истифодаи ин усул чанд нуктаро бояд қайд кард: Аввалан, ҳангоми санҷиши MOSFET ва нигоҳ доштани дарвоза бо дасти худ сӯзани мултиметр метавонад ба тарафи рост (қимати муқовимат кам мешавад) ё ба чап (қимати муқовимат зиёд мешавад) ҳаракат кунад. . Ин ба он вобаста аст, ки шиддати AC, ки бадани инсон индуксия мекунад, нисбатан баланд аст ва MOSFET-ҳои гуногун метавонанд ҳангоми чен кардани диапазони муқовимат (ё дар минтақаи сершуда ё минтақаи сернашуда) нуқтаҳои гуногуни корӣ дошта бошанд. Санҷишҳо нишон доданд, ки RDS аксари қубурҳо зиёд мешаванд. Яъне, дасти соат ба тарафи чап меларзад; РДС-и якчанд найчаҳо кам шуда, дасти соат ба тарафи рост ҳаракат мекунад.

Аммо новобаста аз самте, ки дасти соат ба он ҳаракат мекунад, то он даме, ки дасти соат калонтар мешавад, ин маънои онро дорад, ки найча қобилияти васеъкуниро дорад. Дуюм, ин усул инчунин барои MOSFETҳо кор мекунад. Аммо бояд қайд кард, ки муқовимати вуруди MOSFET баланд аст ва шиддати иҷозатдодашудаи дарвозаи G набояд аз ҳад зиёд баланд бошад, бинобар ин дарвозаро мустақиман бо дастони худ пуч накунед. Шумо бояд дастаки изолятсияшудаи отверткаро истифода бурда, ба дарвоза бо чӯбчаи металлӣ ламс кунед. , барои пешгирӣ кардани заряде, ки бадани инсон ба вуҷуд меорад, мустақиман ба дарвоза илова карда, боиси шикастани дарвоза мегардад. Сеюм, пас аз ҳар як андозагирӣ, сутунҳои GS бояд ноқилҳои кӯтоҳ дошта бошанд. Сабаб дар он аст, ки дар конденсатори гузариши GS миқдори ками заряд мавҷуд аст, ки шиддати VGS-ро зиёд мекунад. Дар натича хангоми ченкунии дубора дастони метр аз харакат набароянд. Ягона роҳи холӣ кардани заряд ин аст, ки барқро дар байни электродҳои GS кӯтоҳ пайваст кунед.

4) Усули ченкунии муқовиматро барои муайян кардани MOSFET-ҳои номаълум истифода баред

Аввалан, усули ченкунии муқовиматро барои дарёфти ду пин бо арзишҳои муқовимат истифода баред, яъне сарчашмаи S ва резиши D. Ду пинҳои боқимонда дарвозаи якуми G1 ва дарвозаи дуюми G2 мебошанд. Аввалан арзиши муқовиматро байни манбаи S ва дренажи D, ки бо ду сими санҷишӣ чен карда шудааст, нависед. Роҳҳои санҷиширо иваз кунед ва бори дигар чен кунед. Қимати муқовимати ченшударо нависед. Оне, ки арзиши муқовимати калонтаре, ки ду маротиба чен карда шудааст, пешбари санҷиши сиёҳ аст. Электроди пайвастшуда дренажи D мебошад; сими санҷишии сурх ба манбаи S пайваст карда шудааст. Қутбҳои S ва D, ки бо ин усул муайян карда шудаанд, инчунин метавонанд тавассути арзёбии қобилияти пурқувваткунии найча тафтиш карда шаванд. Ин аст, ки сими санҷишии сиёҳ бо қобилияти пурқувваткунӣ ба қутби D пайваст карда шудааст; сими санҷиши сурх ба замин ба 8-қутб пайваст. Натиҷаҳои санҷиши ҳарду усул бояд якхела бошанд. Пас аз муайян кардани мавқеъҳои резиши D ва манбаи S, схемаро мувофиқи мавқеъҳои мувофиқи D ва S насб кунед. Умуман, G1 ва G2 низ бо пайдарпай мувофиқ карда мешаванд. Ин мавқеи ду дарвозаи G1 ва G2-ро муайян мекунад. Ин тартиби пинҳои D, S, G1 ва G2-ро муайян мекунад.

5) Тағйирёбии арзиши муқовимати баръаксро барои муайян кардани андозаи гузаранда истифода баред

Ҳангоми чен кардани иҷрои транскондуктсияи такмилдиҳии канали VMOSN MOSFET, шумо метавонед сими санҷишии сурхро барои пайваст кардани манбаи S ва сими санҷиши сиёҳ ба дренажи D истифода баред. Ин ба илова кардани шиддати баръакс байни манбаъ ва дренаж баробар аст. Дар ин вақт, дарвозаи ноҳиявӣ кушода аст, ва арзиши муқовимати баръакси найчаи хеле ноустувор аст. Диапазони ohm-и мултиметрро ба диапазони муқовимати баланди R × 10kΩ интихоб кунед. Дар ин лахза шиддати метр баландтар аст. Вақте ки шумо бо дастатон ба шабакаи G ламс мекунед, шумо хоҳед дид, ки арзиши муқовимати баръакси найча ба таври назаррас тағйир меёбад. Чӣ қадаре ки тағирот зиёдтар бошад, арзиши интиқоли найча ҳамон қадар баландтар мешавад; агар гузариши найчаи озмоишшаванда хеле хурд бошад, ин усулро барои чен кардан истифода баред, Вақте ки муқовимати баръакс каме тағйир меёбад.

 

Эҳтиёт барои истифодаи MOSFET

1) Барои бехатар истифода бурдани MOSFET, дар тарҳрезии схема қиматҳои ҳадди ниҳоии параметрҳо, аз қабили қувваи парокандаи қубур, шиддати максималии дренаж, шиддати максималии манбаи дарвоза ва максималии ҷараёнро зиёд кардан мумкин нест.

2) Ҳангоми истифодаи намудҳои гуногуни MOSFET, онҳо бояд ба схема мувофиқи ғарази зарурӣ пайваст карда шаванд ва қутбияти ғарази MOSFET риоя карда шавад. Масалан, дар байни манбаи дарвоза ва дренажи MOSFET пайванди PN мавҷуд аст ва дарвозаи найи канали N наметавонад ба таври мусбӣ ғаразнок бошад; дарвозаи канали П-ро манфй кардан мумкин нест ва гайра.

3) Азбаски муқовимати вуруди MOSFET бениҳоят баланд аст, пинҳо бояд ҳангоми интиқол ва нигоҳдорӣ кӯтоҳ карда шаванд ва бояд бо муҳофизати металлӣ бастабандӣ карда шаванд, то потенсиали берунӣ аз шикастани дарвоза пешгирӣ карда шавад. Аз ҷумла, лутфан қайд кунед, ки MOSFET-ро дар қуттии пластикӣ ҷойгир кардан мумкин нест. Беҳтар аст, ки онро дар қуттии металлӣ нигоҳ доред. Дар баробари ин ба он диккат додан лозим аст, ки найча намнок бошад.

4) Барои пешгирии вайроншавии индуктивии дарвозаи MOSFET, ҳама асбобҳои санҷишӣ, стендҳои корӣ, дарзмолҳо ва схемаҳо бояд хуб асоснок карда шаванд; ҳангоми кафшер кардани пинҳо аввал манбаъро кафшер кунед; пеш аз пайваст шудан ба схема, труба Хамаи нугхои рахбар бояд ба хамдигар кутох алокаманд карда шуда, пас аз анчоми кафшер масолехи кутох-ро гирифтан лозим; хангоми аз рейки компонентхо баровардани найча усулхои мувофикро истифода бурдан лозим аст, то ки бадани инсон ба замин пайваст карда шавад, масалан, бо истифода аз ангуштарини заминй; албатта, агар пешқадам А, кафшери бо газ тафсондашуда барои кафшери MOSFET қулайтар аст ва бехатариро таъмин мекунад; пеш аз хомуш кардани кувваи барк трубкаро ба схема даровардан ё аз он берун кашидан мумкин нест. Ҳангоми истифодаи MOSFET бояд ба чораҳои бехатарии дар боло зикршуда диққат дод.

5) Ҳангоми насб кардани MOSFET, ба мавқеи насб диққат диҳед ва кӯшиш кунед, ки ба унсури гармидиҳӣ наздик нашавед; барои пешгирй кардани ларзиши арматураи труба корпуси трубаро сахт кардан лозим аст; вақте ки баргҳои пин хам мешаванд, онҳо бояд аз андозаи реша 5 мм калонтар бошанд, то боварӣ ҳосил намоед, ки аз хам кардани пинҳо ва боиси ихроҷи ҳаво нашавед.

Барои MOSFET-ҳои барқӣ, шароити хуби паҳншавии гармӣ талаб карда мешавад. Азбаски MOSFET-ҳои барқ ​​​​дар шароити сарбории баланд истифода мешаванд, гармкунакҳои кофӣ бояд тарҳрезӣ шаванд, то ҳарорати корпус аз арзиши муқарраршуда зиёд набошад, то дастгоҳ дар муддати тӯлонӣ устувор ва боэътимод кор кунад.

Хулоса, барои таъмини истифодаи бехатари MOSFETs, чизҳои зиёде ҳастанд, ки бояд ба онҳо диққат диҳанд ва инчунин чораҳои гуногуни бехатарӣ андешида шаванд. Аксарияти кормандони касбӣ ва техникӣ, бахусус аксарияти мухлисони электронӣ, бояд дар асоси вазъияти воқеии худ амал кунанд ва роҳҳои амалии истифодаи MOSFET-ро бехатар ва самаранок истифода баранд.