MOSFET-ҳо дар схемаҳои аналогӣ ва рақамӣ ба таври васеъ истифода мешаванд ва бо ҳаёти мо зич алоқаманданд. Афзалиятҳои MOSFETҳо инҳоянд: схемаи гардонанда нисбатан содда аст.MOSFETҳо нисбат ба BJTҳо ҷараёни камтари дискро талаб мекунанд ва одатан метавонанд мустақиман аз ҷониби CMOS ё коллектори кушода идора карда шаванд. Схемаҳои ронандаи TTL. Дуюм, MOSFETҳо тезтар иваз мешаванд ва метавонанд бо суръати баландтар кор кунанд, зеро ҳеҷ гуна таъсири нигоҳдории заряд вуҷуд надорад. Илова бар ин, MOSFETҳо механизми шикасти дуюмдараҷа надоранд. Ҳарорати баландтар, аксар вақт пурқувваттар истодагарӣ, эҳтимолияти шикастани гармӣ камтар аст, балки инчунин дар доираи васеътари ҳарорат барои таъмини иҷрои беҳтар.MOSFETs дар шумораи зиёди барномаҳо, дар электроникаи маишӣ, маҳсулоти саноатӣ, электромеханикӣ истифода мешаванд. таҷҳизот, телефонҳои интеллектуалӣ ва дигар маҳсулоти сайёри электронии рақамиро дар ҳама ҷо пайдо кардан мумкин аст.
Таҳлили парвандаи MOSFET
1、Иваз кардани замимаҳои таъминоти барқ
Тибқи таъриф, ин барнома аз MOSFET-ҳо талаб мекунад, ки давра ба давра иҷро ва хомӯш шаванд. Ҳамзамон, даҳҳо топологияҳоро барои интиқоли қувваи барқ истифода бурдан мумкин аст, ба монанди таъминоти барқи DC-DC, ки одатан дар конвертери асосии бак истифода мешаванд, ба ду MOSFET барои иҷрои вазифаи коммутатсионӣ такя мекунанд, ин коммутаторҳо навбат ба индуктор барои нигоҳдорӣ энергия, ва он гоҳ энергияро ба сарборӣ кушоед. Дар айни замон, конструкторҳо аксар вақт басомадҳоро дар садҳо кГц ва ҳатто аз 1МГс зиёдтар интихоб мекунанд, зеро басомади баландтар, ҷузъҳои магнитӣ хурдтар ва сабуктар мешаванд. Параметрҳои дуввуми муҳимтарини MOSFET дар интиқоли манбаъҳои барқ иқтидори баромад, шиддати ҳадди ниҳоӣ, импеданси дарвоза ва энергияи тармаро дар бар мегиранд.
2, барномаҳои идоракунии мотор
Барномаҳои идоракунии мотор як соҳаи дигари татбиқи қувваи барқ мебошандMOSFETs. Схемаҳои маъмулии назорати нимпулӣ ду MOSFET-ро истифода мебаранд (пули пурра чаҳорро истифода мебарад), аммо ду MOSFET вақти хомӯшӣ (вақти мурда) баробар аст. Барои ин барнома, вақти барқарорсозии баръакс (trr) хеле муҳим аст. Ҳангоми идоракунии сарбории индуктивӣ (масалан, печи мотор), схемаи идоракунӣ MOSFET-ро дар схемаи пул ба ҳолати хомӯш мегардонад, дар ин лаҳза гузариши дигар дар схемаи пул ҷараёни ҷараёни диод дар MOSFET-ро муваққатан баръакс мекунад. Ҳамин тариқ, ҷараён боз гардиш мекунад ва қувваи муҳаррикро идома медиҳад. Вақте ки аввалин MOSFET дубора иҷро мекунад, заряди дар диоди дигари MOSFET нигоҳ дошташуда бояд тавассути MOSFET аввал хориҷ карда шавад ва холӣ карда шавад. Ин талафоти энергия аст, аз ин рӯ ҳар қадар trr кӯтоҳтар бошад, талафот ҳамон қадар хурдтар мешавад.
3, барномаҳои автомобилӣ
Истифодаи MOSFET-ҳои барқ дар барномаҳои автомобилӣ дар тӯли 20 соли охир босуръат афзоиш ёфт. ҚувваMOSFETинтихоб карда мешавад, зеро он метавонад ба падидаҳои муваққатии баландшиддат, ки дар натиҷаи системаҳои электронии маъмули автомобилӣ ба вуҷуд омадаанд, тобовар аст, ба монанди рехтани сарборӣ ва тағирёбии ногаҳонии энергияи система ва бастаи он оддӣ аст, асосан бо истифода аз бастаҳои TO220 ва TO247. Дар айни замон, барномаҳое, аз қабили тирезаҳои барқӣ, сӯзишворӣ, тозакунакҳои фосилавӣ ва назорати круз дар аксари мошинҳо тадриҷан стандартӣ мешаванд ва дар тарҳрезӣ дастгоҳҳои шабеҳи нерӯи барқ талаб карда мешаванд. Дар ин давра, MOSFET-ҳои қудрати автомобилӣ ҳамчун муҳаррикҳо, соленоидҳо ва сӯзишворӣ маъмултар шуданд.
MOSFETs, ки дар дастгоҳҳои автомобилӣ истифода мешаванд, доираи васеи шиддатҳо, ҷараёнҳо ва муқовиматро фаро мегиранд. Таҷҳизоти идоракунии мотор конфигуратсияҳои пулакиро бо истифода аз моделҳои шиддати шикастани 30V ва 40V, дастгоҳҳои 60V барои рондани борҳо истифода мешаванд, ки дар он ҷо борфарории ногаҳонии сарборӣ ва шиддати оғоз бояд назорат карда шаванд ва технологияи 75V ҳангоми гузаштан ба стандарти саноат ба системаҳои батареяи 42V талаб карда мешавад. Дастгоҳҳои баландшиддати ёрирасон истифодаи моделҳои аз 100В то 150В-ро талаб мекунанд ва дастгоҳҳои MOSFET аз 400В болотар дар агрегатҳои ронандаи муҳаррик ва схемаҳои идоракунӣ барои чароғҳои разряди баланд (HID) истифода мешаванд.
Ҷараёни гардонандаи MOSFET автомобилӣ аз 2А то зиёда аз 100А буда, муқовимат аз 2mΩ то 100mΩ аст. Ба сарбориҳои MOSFET муҳаррикҳо, клапанҳо, лампаҳо, ҷузъҳои гармидиҳӣ, маҷмӯаҳои пьезоэлектрикӣ ва манбаъҳои барқи DC/DC дохил мешаванд. Басомадҳои гузариш маъмулан аз 10 кГс то 100 кГцро дар бар мегиранд, бо огоҳии он, ки идоракунии мотор барои иваз кардани басомадҳои аз 20 кГц болотар мувофиқ нест. Дигар талаботҳои асосӣ иҷрои UIS, шароити кор дар маҳдудияти ҳарорати пайвастшавӣ (-40 дараҷа то 175 дараҷа, баъзан то 200 дараҷа) ва эътимоднокии баланд берун аз мӯҳлати истифодаи мошин мебошанд.
4, чароғҳои LED ва ронандаи чароғҳо
Дар тарҳрезии чароғҳои LED ва чароғҳо аксар вақт MOSFET-ро истифода мебаранд, барои LED драйвери доимии ҷорӣ, умуман NMOS-ро истифода мебаранд. қудрати MOSFET ва транзистори биполярӣ одатан фарқ мекунанд. Иқтидори дарвозаи он нисбатан калон аст. Пеш аз гузариш конденсаторро пур кардан лозим аст. Вақте ки шиддати конденсатор аз шиддати ҳадди ниҳоӣ зиёд мешавад, MOSFET ба кор шурӯъ мекунад. Аз ин рӯ, ҳангоми тарҳрезӣ қайд кардан муҳим аст, ки иқтидори бори ронандаи дарвоза бояд ба қадри кофӣ калон бошад, то пуркунии иқтидори эквивалентии дарвоза (CEI) дар давоми вақти зарурии система ба анҷом расад.
Суръати гузариши MOSFET аз пур кардан ва холӣ кардани иқтидори вуруд вобаста аст. Гарчанде ки корбар наметавонад арзиши Cin-ро кам кунад, аммо метавонад арзиши муқовимати дохилии сигнали гардиши гардонандаи дарвозаро Rs кам кунад ва ба ин васила константаҳои барқгиранда ва холӣ кардани даври дарвозаро барои суръат бахшидан ба суръати гузариш, қобилияти умумии гардонандаи IC коҳиш диҳад. дар ин чо асосан инъикос ёфтааст, мо мегуем, ки интихобиMOSFETба диски берунаи MOSFET IC-ҳои доимии ҷорӣ дахл дорад. IC-ҳои дарунсохт MOSFET ба назар гирифтан лозим нест. Умуман, MOSFET беруна барои ҷараёнҳои зиёда аз 1А баррасӣ карда мешавад. Барои ба даст овардани қобилияти калонтар ва фасеҳтари LED қувваи барқ, MOSFET беруна ягона роҳи интихоби IC аст, ки бояд бо қобилияти мувофиқ идора карда шавад ва иқтидори вуруди MOSFET параметри калидӣ мебошад.
Вақти фиристодан: апрел-29-2024
