Пеш аз ҳама, намуд ва сохтори MOSFET, MOSFET як FET аст (дигараш JFET аст), мумкин аст ба намуди мукаммал ё камшавӣ, P-канал ё N-канал ҳамагӣ чор намуд истеҳсол карда шавад, аммо татбиқи воқеии танҳо N мукаммалшуда. -канал MOSFET ва MOSFET-ҳои мукаммали P-канал, ки одатан NMOSFET номида мешаванд, ё PMOSFET ба NMOSFET одатан зикршуда ишора мекунад ё PMOSFET ба ин ду намуд ишора мекунад. Барои ин ду намуди MOSFET-ҳои мукаммал, NMOSFETҳо аз сабаби муқовимати паст ва осонии истеҳсоли онҳо бештар истифода мешаванд. Аз ин рӯ, NMOSFETҳо одатан дар иваз кардани таъминоти барқ ва барномаҳои гардонандаи мотор истифода мешаванд ва муқаддимаи зерин инчунин ба NMOSFETҳо тамаркуз мекунад. иқтидори паразитӣ дар байни се пин мавҷуд астMOSFET, ки лозим нест, балки аз сабаби махдудияти процесси истехсолот. Мавҷудияти иқтидори паразитӣ тарҳрезӣ ё интихоби схемаи драйверро каме мушкил мекунад. Дар байни дренаж ва манбаъ диоди паразитӣ мавҷуд аст. Ин диоди бадан номида мешавад ва дар рондани сарборҳои индуктивӣ ба монанди моторҳо муҳим аст. Дар омади гап, диоди бадан танҳо дар MOSFET-ҳои инфиродӣ мавҷуд аст ва одатан дар дохили чипи IC мавҷуд нест.
Акнун баMOSFETзамимаҳои пастшиддатро идора кунед, вақте ки истифодаи қувваи барқи 5V, ин дафъа агар шумо сохтори анъанавии қутби тотемро истифода баред, аз сабаби транзистор пастшавии шиддат тақрибан 0,7В бошад, ки дар натиҷа воқеии ниҳоӣ ба дарвоза дар шиддат илова карда мешавад. 4.3 V. Дар айни замон, мо шиддати номиналии дарвозаи 4.5V аз MOSFET-ро дар бораи мавҷудияти хатарҳои муайян интихоб мекунем. Ҳамин мушкилот ҳангоми истифодаи 3V ё дигар ҳолатҳои таъминоти барқи пастшиддат рух медиҳад. Шиддати дугона дар баъзе схемаҳои назоратӣ истифода мешавад, ки дар он қисмати мантиқӣ шиддати маъмулии рақамии 5V ё 3.3V ва қисмати барқ 12V ё ҳатто баландтарро истифода мебарад. Ду шиддат бо истифода аз замини умумӣ пайваст карда мешаванд. Ин истифодаи схемаеро талаб мекунад, ки ба ҷониби шиддати паст имкон медиҳад, ки MOSFET-ро дар тарафи шиддати баланд самаранок идора кунад, дар ҳоле ки MOSFET дар тарафи шиддати баланд бо ҳамон мушкилоте, ки дар 1 ва 2 зикр шудаанд, дучор хоҳад шуд.
Дар ҳар се ҳолат, сохтори қутби тотем ба талаботҳои баромад ҷавобгӯ буда наметавонад ва бисёре аз IC-ҳои ронандаи MOSFET, ки ба назар чунин менамояд, сохтори маҳдудкунандаи шиддати дарвозаро дар бар намегиранд. Шиддати вуруд арзиши собит нест, он бо вақт ё омилҳои дигар фарқ мекунад. Ин тағирот боиси ноустувории шиддати гардонандаи ба MOSFET аз ҷониби схемаи PWM додашуда мегардад. Барои он ки MOSFET аз шиддати баланди дарвоза бехатар бошад, бисёр MOSFETҳо танзимгари дохилии шиддат доранд, то амплитудаи шиддати дарвозаро маҷбуран маҳдуд кунанд. Дар ин ҳолат, вақте ки шиддати гардонанда аз танзимгари шиддат зиёдтар таъмин карда мешавад, он ҳамзамон боиси истеъмоли зиёди қувваи статикӣ мегардад, агар шумо танҳо принсипи тақсимкунандаи шиддати муқовиматро барои кам кардани шиддати дарвоза истифода баред, шиддати нисбатан баланд хоҳад буд. шиддати вуруд,MOSFETхуб кор мекунад, дар ҳоле ки шиддати вуруд коҳиш меёбад, вақте ки шиддати дарвоза нокифоя аст, то интиқоли камтар аз пурраро ба вуҷуд орад ва ба ин васила масрафи нерӯи барқро зиёд кунад.
Дар ин ҷо схемаи нисбатан маъмул танҳо барои схемаи драйвери NMOSFET барои таҳлили оддӣ анҷом дода мешавад: Vl ва Vh таъминоти барқи паст ва баландсифат мебошанд, ду шиддат метавонанд якхела бошанд, аммо Vl набояд аз Vh зиёд бошад. Q1 ва Q2 як сутуни тотеми баръаксро ташкил медиҳанд, ки барои ҷудошавӣ истифода мешаванд ва дар айни замон барои таъмини он, ки ду найчаи ронанда Q3 ва Q4 як вақт гузаронанд. R2 ва R3 шиддати PWM-ро таъмин мекунанд R2 ва R3 истинод ба шиддати PWM-ро таъмин мекунанд, бо тағир додани ин истинод, шумо метавонед иҷозат диҳед, ки схема дар шакли мавҷи сигнали PWM мавқеи нисбатан нишеб ва рост бошад. Q3 ва Q4 барои таъмини ҷараёни гардон истифода мешаванд, аз сабаби сари вақт, Q3 ва Q4 нисбат ба Vh ва GND танҳо ҳадди ақали пастшавии шиддати Vce мебошанд, ин пастшавии шиддат одатан танҳо 0,3V ё камтар, хеле пасттар аст. аз 0.7V Vce R5 ва R6 резисторҳои бозгашт мебошанд, ки барои дарвозаи R5 ва R6 истифода мешаванд, резисторҳои бозгашт мебошанд, ки барои намунагирии шиддати дарвоза истифода мешаванд, ки пас аз Q5 барои тавлиди аксуламали манфии қавӣ дар асосҳои Q1 ва Q2 гузаронида мешаванд ва ҳамин тавр маҳдуд мекунанд шиддати дарвоза ба арзиши ниҳоӣ. Ин арзишро тавассути R5 ва R6 танзим кардан мумкин аст. Дар ниҳоят, R1 маҳдудияти ҷараёни асосиро ба Q3 ва Q4 таъмин мекунад ва R4 маҳдудияти ҷараёни дарвозаро ба MOSFETs, ки маҳдудияти Ice Q3Q4 мебошад, таъмин мекунад. Агар лозим бошад, конденсатори шитобро дар болои R4 параллел пайваст кардан мумкин аст.
Вақти фиристодан: апрел-21-2024
