Дар айни замон, дар шароити рушди босуръати илм ва техника нимноқилҳо дар соҳаҳои бештар истифода мешаванд, ки дар онҳоMOSFET инчунин як дастгоҳи хеле маъмули нимноқил ҳисобида мешавад, қадами навбатӣ фаҳмидани фарқияти байни хусусиятҳои транзистори кристалии биполярӣ ва қувваи баромади MOSFET мебошад.
1, тарзи кор
MOSFET ин корест, ки барои пешбурди шиддати корӣ лозим аст, диаграммаҳои схемаҳо нисбатан соддаро шарҳ медиҳанд, ба қудрати хурд мусоидат мекунанд; транзистори булӯри барқ маҷрои нерӯ барои пешбурди тарҳи барнома мураккабтар аст, барои пешбурди мушаххасоти интихоби мушкил пешбурди мушаххасот суръати умумии коммутатсионӣ ба таъминоти барқро зери хатар мегузорад.
2, суръати умумии гузариш аз таъминоти барқ
MOSFET, ки аз ҳарорат осеб дидааст, хурд аст, қувваи баромади интиқоли барқ таъмин карда метавонад, ки беш аз 150KHz; транзистори булӯри барқ мӯҳлати хеле ками вақти нигоҳдории заряди ройгон дорад, ки суръати гузариши таъминоти барқро маҳдуд мекунад, аммо қудрати баромади он одатан аз 50 кГц зиёд нест.
3, Минтақаи кории бехатар
Қувваи MOSFET асоси дуюмдарача надорад ва майдони кори бехатар васеъ аст; транзистори булӯри барқ вазъияти дуюмдараҷа дорад, ки минтақаи кории бехатарро маҳдуд мекунад.
4, Талаботи кории ноқили барқ ба шиддати корӣ
ҚувваMOSFET ба навъи шиддати баланд тааллуқ дорад, талаботи кории интиқоли шиддати корӣ баландтар аст, коэффисиенти мусбати ҳарорат мавҷуд аст; транзистори кристаллӣ новобаста аз он ки чӣ қадар пул ба шиддати корӣ тобовар аст, шиддати кории ноқили барқ пасттар аст ва коэффисиенти манфии ҳарорат дорад.
5, ҳадди ниҳоии ҷараёни барқ
Қувваи MOSFET дар схемаи интиқоли барқи схемаи интиқоли барқ ҳамчун коммутатори таъминоти барқ дар кор ва кори устувор дар мобайн, ҳадди аксар ҷараёни нерӯ камтар аст; ва транзистори кристаллии барқ дар амалиёт ва кори устувор дар мобайн, ҳадди аксар ҷараёни нерӯи баландтар аст.
6, арзиши маҳсулот
Арзиши қувваи MOSFET каме баландтар аст; арзиши триодҳои кристаллӣ каме пасттар аст.
7, Таъсири воридшавӣ
Power MOSFET таъсири воридшавӣ надорад; транзистори булӯри барқ таъсири воридшавӣ дорад.
8, талафоти гузариш
Талафоти гузариши MOSFET бузург нест; талафоти гузариш транзистори кристалл нисбатан калон аст.
Илова бар ин, аксарияти мутлақи қувваи MOSFET diode зарбаи фурў маҷмӯӣ, дар ҳоле ки транзистор барқ дуқутбӣ қариб ҳеҷ diode зарбаи фурўбаранда маҷмӯӣ нест.MOSFET diode зарбаи фурӯ низ метавонад як магнити универсалӣ барои гузариш занҷирҳои таъминоти барқ магнит coils дод кунҷи омили барқ. канали бехатарии ҷараёни барқ. Туби эффекти саҳроӣ дар диодҳои амортизаторӣ дар тамоми раванди хомӯш кардани диод бо диоди умумӣ ҳамчун мавҷудияти ҷараёни барқарорсозии баръакс, дар ин вақт диод аз як тараф барои гирифтани дренаж - қутби манбаи мусбати мобайнии муҳим аз тарафи дигар, афзоиши талаботи кори шиддати корӣ ва ҷараёни баръакси барқароршавӣ.
Вақти фиристодан: 24 май-2024
