(1) MOSFET як унсури танзимкунандаи шиддат аст, дар ҳоле ки транзистор унсури танзимкунандаи ҷараён аст. Дар қобилияти ронандагӣ мавҷуд нест, ҷараёни гардонанда хеле хурд аст, бояд интихоб карда шавадMOSFET; ва дар шиддати сигнал паст аст, ва ваъда дод, ки ҷорӣ бештар аз мошини моҳидорӣ барқ гардонандаи шароити марҳилаи, бояд транзистор интихоб карда шавад.
(2) MOSFET истифодаи аксари интиқолдиҳандаҳои ноқилӣ мебошад, ки онро дастгоҳи якқутбӣ меноманд, дар ҳоле ки транзистор дар он аст, ки аксарияти интиқолдиҳандагон вуҷуд доранд, аммо инчунин истифодаи шумораи ками интиқолдиҳандаҳои интиқолдиҳанда. Онро дастгоҳи биполярӣ меноманд.
(3) БаъзеҳоMOSFET сарчашма ва дренаж метавонад барои истифодаи шиддати дарвоза иваз карда шавад, метавонад мусбат ё манфӣ бошад, чандирӣ аз транзистор хуб аст.
(4) MOSFET метавонад дар шароити ҷараёнҳои хеле хурд ва шиддати хеле паст кор кунад ва раванди истеҳсоли он метавонад барои ҳамгироии бисёре аз MOSFETҳо дар чипи кремний хеле қулай бошад, аз ин рӯ MOSFETҳо дар микросхемаҳои интегралӣ-миқёси калон васеъ истифода шудаанд.
(5) MOSFET бартариҳои импеданси баланди вуруд ва садои паст дорад, аз ин рӯ он инчунин дар таҷҳизоти гуногуни домҳои электронӣ ба таври васеъ истифода мешавад. Махсусан бо найчаи эффекти саҳроӣ барои иҷрои тамоми таҷҳизоти электронӣ вуруд, марҳилаи баромад, метавонад транзистори умумиро ба даст орад, ки ба функсия душвор аст.
(6)MOSFETҳо ба ду категория тақсим мешаванд: навъи пайванди сурх ва навъи дарвозаи изолятсияшуда ва принсипҳои коркарди онҳо якхелаанд.
Дар асл, триод арзонтар ва барои истифода қулайтар аст, ки маъмулан дар моҳигирони кӯҳнаи басомади паст истифода мешавад, MOSFET барои схемаҳои баландсуръати баландсуръат, ҳолатҳои ҷорӣ, аз ин рӯ навъи нави моҳигирони ултрасадои баландбасомад, муҳим аст. астMOS калон. Умуман, ҳолатҳои камхарҷ, истифодаи умумии аввалин барои баррасии истифодаи транзисторҳо, на агар шумо мехоҳед MOS-ро баррасӣ кунед.
MOSFET сабабҳои вайроншавӣ аст ва роҳҳои ҳалли онҳо инҳоянд
Аввалан, муқовимати вуруди худи MOSFET хеле баланд аст ва дарвоза - иқтидори байни электродҳои манбаъ хеле хурд аст, аз ин рӯ он ба майдонҳои электромагнитии беруна ё индуктивии электростатикӣ хеле осебпазир аст ва заряднок аст ва миқдори ками зарядро ташкил кардан мумкин аст. дар capacitance байни электрод аз шиддати мувофиқ баланд (U = Q / C), хоҳад найчаи зарар. Гарчанде ки вуруди MOS-и мошини барқии моҳидорӣ дорои чораҳои нигоҳдории зидди статикӣ мебошад, аммо ба ҳар ҳол бояд бо эҳтиёт муносибат кард, дар нигоҳдорӣ ва таҳвили беҳтарин зарфҳои металлӣ ё бастабандии маводҳои гузаронанда, ба осонӣ ҳамлаи статикии шиддати баландро ҷойгир накунед. материалхои химиявй ё матоъхои нахи химиявй. Монтаж, ба кор андохтан, ашё, намуди зоҳирӣ, истгоҳи корӣ ва ғайра бояд заминабандии барҷаста бошад. Барои роҳ надодан ба зарари дахолати электростатикии оператор, аз қабили нейлон, либоси нахи кимиёвӣ, даст ё чизе напӯшед, пеш аз ламс ба блоки интегралӣ беҳтарин пайваст кардани замин аст. Барои таҷҳизоти сурб росткунӣ ва мепечонад ё кафшери дастӣ, истифодаи таҷҳизот барои заминсозӣ барҷаста зарур аст.
Дуюм, диод нигоҳдорӣ дар вуруди схемаи MOSFET, таҳаммулпазирии ҷараёни саривақтии он одатан 1мА аст, дар сурати эҳтимолияти аз ҳад зиёди ҷараёни вуруди муваққатӣ (бештар аз 10mA), бояд ба муқовимати нигоҳдории вуруд пайваст карда шавад. Ва 129 # дар тарҳи ибтидоӣ дар резистори нигоҳдорӣ иштирок накардааст, бинобар ин сабаби шикастани MOSFET аст ва бо иваз кардани резистори нигоҳдории дохилӣ MOSFET бояд аз фарорасии чунин нокомӣ пешгирӣ кунад. Ва азбаски схемаи нигоҳдорӣ барои азхуд кардани энергияи лаҳзавӣ маҳдуд аст, сигнали аз ҳад калон ва шиддати аз ҳад баланди электростатикӣ схемаи нигоҳдорӣ таъсирашро гум мекунад. Пас, вақте ки кафшер оҳан soldering зарур аст, ки ба қатъият асоснок барои пешгирии ихроҷ шикастани таҷҳизоти вуруди, истифодаи умумӣ, мумкин аст пас аз истифодаи гармии боқимондаи оҳан soldering барои кафшер хомӯш барқ, ва аввал таїіизот асоснок он кафшер.
Вақти фиристодан: июл-31-2024
