Чӣ тавр MOSFET кор мекунад?

1, MOSFETмуқаддима

Ихтисораи FieldEffect Transistor (FET)) унвони MOSFET. аз ҷониби шумораи ками интиқолдиҳандагон барои иштирок дар гармӣ, ки ҳамчун транзистори бисёрқутбӣ маълуманд. Он ба механизми нимноқилҳои азхудкунии шиддат тааллуқ дорад. Муқовимати баромади баланд (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω), садои паст, истеъмоли ками қувваи барқ, диапазони статикӣ, ҳамгироӣ осон, падидаи дуюми шикаста, вазифаи суғуртаи баҳр ва дигар афзалиятҳо ҳоло тағир ёфтааст транзистори биполярӣ ва транзистори пайвасти барқ ​​​​и ҳамкорони қавӣ.

 

2, хусусиятҳои MOSFET

1, MOSFET як дастгоҳи назорати шиддат аст, ки он тавассути VGS (шиддати манбаи дарвоза) ID назорати (дренаж DC);

2, MOSFETқутби баромади DC хурд аст, бинобар ин муқовимати баромад калон аст.

3, он татбиқи шумораи ками интиқолдиҳандагон барои гузаронидани гармӣ аст, бинобар ин ӯ ченаки беҳтари устуворӣ дорад;

4, он иборат аст аз роҳи коҳиши коэффисиенти коҳиши барқ ​​хурдтар аз триод иборат аст аз роҳи коҳиши коэффисиенти коҳиш;

5, қобилияти зидди шуоъпазирии MOSFET;

6, аз сабаби набудани фаъолияти нодурусти пароканда олигон боиси зарраҳои пароканда садо, то садои паст аст.

 

3, Принсипи вазифаи MOSFET

MOSFETПринсипи кор дар як ҷумла, ин "дренаж - манбаи байни ID, ки тавассути канал барои дарвоза ҷорӣ мешавад ва канали байни гузариши pn, ки аз ҷониби ғарази баръакси идентификатсияи магистралии шиддати дарвоза ба вуҷуд омадааст", аниқтараш, ID тавассути паҳнӣ мегузарад. аз роҳ, яъне масоҳати буриши канал, тағирёбии ғарази баръакси гузариши pn мебошад, ки қабати камшавиро ба вуҷуд меорад. Дар бахри сернашудаи VGS=0, азбаски васеъшавии кабати гузариш чандон калон нест, мувофики илова намудани майдони магнитии VDS байни манбаи дренаж як кисми электронхо дар бахри сарчашма аз тарафи резиши, яъне, як фаъолияти ID DC аз резиши ба манбаъ нест. Қабати мӯътадил, ки аз дарвоза то дренаж васеъ карда шудааст, тамоми бадани каналро як намуди блоки ID пур мекунад. Ин шаклро як фишурда меномед. Рамзи қабати гузариш ба канали тамоми монеа, на қувваи DC қатъ карда мешавад.

 

Азбаски дар қабати гузариш ҳаракати озоди электронҳо ва сӯрохиҳо вуҷуд надорад, он дар шакли идеалӣ қариб хосиятҳои изолятсионӣ дорад ва ҷараёни умумии ҷараён душвор аст. Аммо он гоҳ майдони барқ ​​байни дренаж - сарчашма, дар асл, ду қабати гузариш дренаж ва сутуни дарвоза дар наздикии қисми поёнӣ, зеро майдони барқи дрейф электронҳои баландсуръатро тавассути қабати гузариш кашида мегирад. Шиддати майдони дрейф тақрибан доимӣ буда, пуррагии саҳнаи ID-ро ба вуҷуд меорад.

 

Схема омезиши мукаммали P-канал MOSFET ва MOSFET-и мукаммали N-каналро истифода мебарад. Вақте ки вуруд кам аст, канали P-канали MOSFET мегузарад ва баромад ба терминали мусбати таъминоти барқ ​​​​пайваст мешавад. Вақте ки вуруд баланд аст, канали N-канали MOSFET мегузарад ва баромад ба замини таъминоти барқ ​​пайваст мешавад. Дар ин схема, канали P-канали MOSFET ва N-канали MOSFET ҳамеша дар ҳолатҳои муқобил кор мекунанд ва даромаду баромади фазаҳои онҳо баръакс мешаванд.