Вариантҳои зиёди рамзҳои схема мавҷуданд, ки одатан барои MOSFETҳо истифода мешаванд. Тарҳи маъмултарин ин як хати ростест, ки каналро ифода мекунад, ду хати перпендикуляр ба канал, ки манбаъ ва дренажро ифода мекунад ва хати кӯтоҳтаре, ки ба канали чапи дарвоза баробар аст. Баъзан хати росте, ки каналро ифода мекунад, инчунин бо хати шикаста барои фарқ кардани ҳолати такмилдиҳӣ иваз карда мешавадмофет ё ҳолати тамомшавӣ mosfet, ки он низ ба N-канали MOSFET ва P-kanal MOSFET ду намуди аломатҳои схема тақсим карда мешавад, ки дар расм нишон дода шудааст (самти тир гуногун аст).
Power MOSFETs бо ду роҳи асосӣ кор мекунанд:
(1) Вақте ки ба D ва S шиддати мусбӣ илова карда мешавад (дренажи мусбӣ, манбаи манфӣ) ва UGS = 0, пайванди PN дар минтақаи бадани P ва минтақаи дренажии N баръакс ғаразнок аст ва байни D ҷараён намегузарад. ва S. Агар шиддати мусбати UGS дар байни G ва S илова карда шавад, ҷараёни дарвоза ҷорӣ намешавад, зеро дарвоза изолятсия карда шудааст, аммо шиддати мусбат дар дарвоза сӯрохиҳоро аз минтақаи P дар зери он тела медиҳад ва электронҳои интиқолдиҳандаи ақаллиятҳо ба сатҳи минтақаи P ҷалб карда мешавад Вақте ки UGS аз шиддати муайяни UT зиёдтар аст, консентратсияи электронҳо дар сатҳи минтақаи P дар зери дарвоза аз консентратсияи сӯрохҳо зиёд мешавад ва ҳамин тавр қабати нимноқилҳои навъи P-ро нимноқили навъи N месозад ; ин қабати antipattern як канали N-намуди байни манбаъ ва дренаж ташкил, ба тавре ки гузариши PN нопадид, манбаъ ва дренаж ноқил, ва як ID ҷорӣ дренаж ҷараёнҳои тавассути дренаж. UT-ро шиддати фаъол ё шиддати остона меноманд ва ҳар қадаре, ки UGS аз UT зиёд бошад, қобилияти ноқилӣ ҳамон қадар зиёдтар аст ва ID ҳамон қадар калонтар аст. Чӣ қадаре ки UGS аз UT зиёд бошад, гузаронанда ҳамон қадар қавитар аст, ҳамон қадар ID бузургтар аст.
(2) Вақте ки D, S плюс шиддати манфӣ (манбаи мусбат, дренаж манфӣ), гузариши PN ба пеш ғаразнок аст, ки ба диодҳои баръакси дохилӣ баробар аст (хусусиятҳои вокуниши зуд надорад), яънеMOSFET қобилияти бастани баръакс надорад, онро ҷузъҳои интиқоли баръакс ҳисоб кардан мумкин аст.
Аз ҷонибиMOSFET Принсипи амалиёт дида мешавад, гузаронидани он танҳо як интиқолдиҳандаи қутбӣ иштирок дар гузаронанда, то низ ҳамчун transistor.MOSFET гардонандаи unipolar маълум аст, аксаран дар асоси таъминоти барқ IC ва параметрҳои MOSFET барои интихоби ноҳиявӣ мувофиқ, MOSFET аст, умуман барои гузариш истифода бурда мешавад схемаи гардонандаи таъминоти барқ. Ҳангоми тарҳрезии таъминоти барқии коммутатсионӣ бо истифода аз MOSFET, аксарияти одамон муқовимат, шиддати максималӣ ва ҳадди максималии MOSFET-ро ба назар мегиранд. Аммо, одамон аксар вақт танҳо ин омилҳоро ба назар мегиранд, то ки схема дуруст кор кунад, аммо ин ҳалли хуби тарҳрезӣ нест. Барои тарҳрезии муфассалтар, MOSFET инчунин бояд маълумоти параметрҳои худро баррасӣ кунад. Барои MOSFET-и муайян, схемаи ронандагии он, ҷараёни авҷи баромади гардонанда ва ғайра ба кори коммутатсионӣ дар MOSFET таъсир мерасонад.
Вақти фиристодан: май-17-2024
