Чӣ тавр муайян кардан мумкин аст, ки MOSFET хуб ё бад аст?

Ду роҳи фарқ кардани MOSFET-и хуб ва бад вуҷуд дорад:
Якум: аз чихати сифатй фарк кардани афзалиятхо ва норасоихоиMOSFETs

Аввалан блоки мултиметри R × 10kΩ (батареяи дарунсохташудаи 9V ё 15V), қалами манфӣ (сиёҳ) ба дарвоза (G), қалами мусбӣ (сурх), ки ба манбаъ (S) пайваст аст, истифода баред. Ба дарвоза, манбаи заряди миёнаи батарея, пасмултиметр сӯзан як каҷравии ҳалим дорад. Сипас ба блоки мултиметри R × 1Ω гузаред,манфӣ қалам ба резиши (D), қалам мусбат ба манбаъ (S), арзиши мултиметр нишонгузорӣ, агар модари чанд ohm, он нишон медиҳад, ки MOSFET хуб аст.

Чӣ тавр муайян кардан мумкин аст, ки MOSFET хуб ё бад аст

Дуюм: сифатан ҳал кардани сатҳи электрикии MOSFETsМултиметр ба файли R × 100 занг зада мешавад, қалами сурх ба таври тасодуфӣ ба найчаи пиёда пайваст карда мешавад, қалами сиёҳ ба найчаи пои дигар пайваст карда мешавад, то пои сеюм дар ҳаво овезон бошад. Агар шумо пайдо кунед, ки сӯзан дорад, каме wobble, он тасдиқ карда мешавад, ки пои сеюм барои дарвоза. Барои ба даст овардани мушоҳидаи назарраси таъсири воқеӣ, балки инчунин ларзиши электронӣ ба наздик ё бо ламси ангушт дар пойҳои ҳаво овезон, танҳо барои дидани сӯзан барои каҷшавии калон, яъне нишон медиҳад, ки овезон дар пойҳои ҳаво дарвоза аст. , ду пои дигар сарчашма ва захбур буданд.

Сабабҳои фарқкунанда:

Муқовимати вуруди JFET беш аз 100МΩ аст ва гузаранда хеле баланд аст, вақте ки майдони магнитии фазои дарунӣ боиси ба таври магнитӣ ба таври магнитӣ ба вуҷуд овардани сигнали шиддати кории дарвоза хеле осон аст, то қубур майл ба он ё майл дошта бошад. фаъол-хомуш будан. Агар шиддати индуксионии бадан фавран ба дарвоза илова карда шавад, зеро дахолати калидии электромагнитӣ қавӣ аст, вазъияти дар боло зикршуда бештар ва бештар муҳим мешавад. Агар сӯзан метр ба тарафи чапи як deflection калон, аз номи қубур майл ба сифати, резистор резистор RDS тавсеаи, заҳкаш-манбаи ҷорӣ маблағи кам IDS. Баръакс, сӯзани метр ба рости каҷравии калон, нишон медиҳад, ки қубур майл ба фурӯзон-хомӯш, RDS ↓, IDS ↑. Аммо сӯзани ҳисобкунак дар охири он ба кадом самти каҷшавӣ бояд ба қутбҳои мусбат ва манфии шиддати индуксионӣ (самти мусбати шиддати корӣ ё самти баръакси шиддати корӣ) ва нуқтаи кори қубури пулодӣ вобаста бошад.
Огоҳӣ:
(1) Таҷриба нишон медиҳад, ки вақте ки ҳарду даст аз сутунҳои D ва S изолятсия карда мешаванд ва танҳо ба дарвоза ламс карда мешавад, сӯзан одатан ба тарафи чап каҷ мешавад. Аммо агар ҳарду даст ба ҳар як сутуни D, S-ро ламс кунанд ва ангуштон ба дарвоза расида бошанд, ба тарафи рост каҷ шудани сӯзанро мушоҳида кардан мумкин аст. Сабаби аслӣ ҷисми як қатор мавқеъҳо ва резисторҳо дар MOSFET аст, ки таъсири нуқтаи истинод дорад, то он ба минтақаи ҳолати сершавӣ дохил шавад.