Иқтидори дарвоза, муқовимат ва дигар параметрҳои MOSFETs

I. Иқтидори дарвоза

Иқтидори дарвоза асосан дорои зарфияти вуруд (Ciss), иқтидори баромад (Coss) ва иқтидори интиқоли баръакс (Crss, инчунин бо номи иқтидори Миллер маълум аст).

Иқтидори вуруд (Ciss):

ТАЙЁР: Иқтидори воридотӣ иқтидори умумии байни дарвоза ва манбаъ ва дренаж буда, аз иқтидори манбаи дарвоза (Cgs) ва зарфияти дренажии дарвоза (Cgd) дар баробари пайваст, яъне Ciss = Cgs + Cgd иборат аст.

Функсия: Иқтидори вуруд ба суръати гузариш аз MOSFET таъсир мерасонад. Вақте ки иқтидори вуруд ба шиддати ҳадди ниҳоии барқ ​​​​пур карда мешавад, дастгоҳро фаъол кардан мумкин аст; ба андозаи муайян холӣ карда мешавад, дастгоҳро хомӯш кардан мумкин аст. Аз ин рӯ, схемаи ронандагӣ ва Ciss ба таъхири фурӯзон ва хомӯш кардани дастгоҳ таъсири мустақим доранд.

Иқтидори баромад (Coss):

Муайян: Иқтидори баромади иқтидори умумии байни дренаж ва манбаъ буда, аз зарфияти дренажӣ (Cds) ва зарфияти дренажии дарвоза (Cgd) дар баробари мувозӣ иборат аст, яъне Coss = Cds + Cgd.

Нақш: Дар замимаҳои ивазкунандаи нарм, Coss хеле муҳим аст, зеро он метавонад резонансро дар схема ба вуҷуд орад.

Иқтидори интиқоли баръакс (Crss):

Муайян: Иқтидори интиқоли баръакс ба иқтидори дренажии дарвоза (Cgd) баробар аст ва аксар вақт ҳамчун зарфияти Миллер номида мешавад.

Нақш: Иқтидори интиқоли баръакс як параметри муҳими вақти болоравӣ ва пастшавии коммутатор мебошад ва он инчунин ба вақти таъхири хомӯшкунӣ таъсир мерасонад. Арзиши иқтидор кам мешавад, зеро шиддати манбаи дренаж зиёд мешавад.

II. Муқовимат (Rds(on))

Таъриф: Муқовимат муқовимат байни манбаъ ва дренажии MOSFET дар ҳолати мушаххас дар шароити мушаххас (масалан, ҷараёни мушаххаси ихроҷ, шиддати дарвоза ва ҳарорат) мебошад.

Омилҳои таъсиркунанда: Муқовимат арзиши собит нест, ба он ҳарорат таъсир мерасонад, ҳарорат баландтар бошад, Rds(on) зиёд мешавад. Илова бар ин, шиддати тобовар баландтар бошад, сохтори дохилии MOSFET ҳамон қадар ғафстар бошад, муқовимати мувофиқ ҳамон қадар баландтар аст.

Муҳимият: Ҳангоми тарҳрезии таъминоти барқии коммутатсионӣ ё схемаи драйвер, муқовимати фаъоли MOSFET-ро ба назар гирифтан лозим аст, зеро ҷараёне, ки тавассути MOSFET мегузарад, энергияро барои ин муқовимат сарф мекунад ва ин қисми энергияи истеъмолшуда дар он номида мешавад. талафоти муқовимат. Интихоби MOSFET бо муқовимати паст метавонад талафоти муқовиматро коҳиш диҳад.

Сеюм, дигар параметрҳои муҳим

Илова ба иқтидори дарвоза ва муқовимат, MOSFET дорои якчанд параметрҳои муҳими дигар, аз қабили:

V(BR)DSS (шиддати шикастани манбаи дренаж):Шиддати манбаи дренаж, ки дар он ҷараёне, ки тавассути дренаж ҷараён дорад, дар ҳарорати муайян ва кӯтоҳ будани манбаи дарвоза ба арзиши мушаххас мерасад. Зиёда аз ин арзиш, қубур метавонад вайрон шавад.

VGS(th) (шиддати ҳадди ақаллӣ):Шиддати дарвоза барои сар задани канали гузаранда байни манбаъ ва дренаж лозим аст. Барои MOSFET-ҳои стандартии N-канал, VT аз 3 то 6V аст.

ID (Ҷараёни ҳадди аксар резиши доимӣ):Ҳадди ниҳоии ҷараёни доимии доимӣ, ки онро чип дар ҳарорати ҳадди ниҳоии пайвастшавӣ иҷозат медиҳад.

IDM (Ҷараёни ҳадди аксар резиши импулс):Сатҳи ҷараёни импулсро, ки дастгоҳ идора карда метавонад, инъикос мекунад ва ҷараёни импулс аз ҷараёни доимии доимӣ хеле баландтар аст.

PD (ҳадди аксар тақсимоти нерӯ):дастгоҳ метавонад ҳадди аксар сарфи қувваи барқро пароканда кунад.

Хулоса, зарфияти дарвоза, муқовимат ва дигар параметрҳои MOSFET барои фаъолият ва татбиқи он муҳиманд ва бояд мувофиқи сенарияҳо ва талаботи мушаххаси барнома интихоб ва тарҳрезӣ шаванд.