Муайянкунӣ ва санҷиши асосии MOSFET

1.Junction MOSFET муайян PIN

ДарвозаиMOSFET асоси транзистор ва дренаж ва манбаъ коллектор ва эмитенти он мебошандтранзистори мувофиқ. Мултиметр ба фишанги R × 1k, бо ду қалам барои чен кардани муқовимати пеш ва баръакс байни ду пин. Вақте ки муқовимати ду-пайвандӣ ба пеш = муқовимати баръакс = KΩ, яъне ду пин барои манбаи S ва резиши D, қисми боқимондаи пин дарвозаи G мебошад. Агар он 4-пайвандак бошадпайванди MOSFET, сутуни дигар — истифодаи сипари заминй.

2.Дарвозаро муайян кунед　

Бо қалами сиёҳи мултиметр барои ламс кардан ба MOSFET электроди тасодуфӣ, қалами сурх ба ду электроди дигар ламс кунед. Агар ҳарду муқовимати ченшуда хурд бошанд, ин нишон медиҳад, ки ҳарду муқовимати мусбат доранд, най ба канали N-канали MOSFET тааллуқ дорад, ҳамон як тамоси қалами сиёҳ низ дарвоза мебошад.

Раванди истеҳсолӣ тасмим гирифт, ки дренаж ва манбаи MOSFET симметрӣ аст ва онҳоро бо ҳамдигар иваз кардан мумкин аст ва ба истифодаи схема таъсир намерасонад, схема низ дар айни замон муқаррарӣ аст, бинобар ин рафтан лозим нест. ба фарқияти аз ҳад зиёд. Муқовимат байни дренаж ва манбаъ тақрибан чанд ҳазор Ом аст. Ин усулро барои муайян кардани дарвозаи дарвозаи изолятсионии навъи MOSFET истифода бурда наметавонад. Азбаски муқовимати вуруди ин MOSFET бениҳоят баланд аст ва иқтидори байниқутбӣ байни дарвоза ва манбаъ хеле хурд аст, ченкунии миқдори ками зарядро дар болои қутбҳои байниқутбӣ ташкил кардан мумкин аст. иқтидори шиддати хеле баланд, MOSFET осеб расонидан хеле осон хоҳад буд.

3.Баҳодиҳии қобилияти пурқувваткунии MOSFETs

Вақте ки мултиметр ба R × 100 муқаррар карда мешавад, қалами сурхро барои пайваст кардани манбаи S истифода баред ва қалами сиёҳро барои пайваст кардани дренажи D истифода баред, ки ин мисли илова кардани шиддати 1,5 В ба MOSFET аст. Дар ин вақт сӯзан арзиши муқовиматро байни сутуни DS нишон медиҳад. Дар ин ваќт бо ангушти пинљ кардани дарвозаи G, шиддати индуксионии бадан њамчун сигнали вуруд ба дарвоза. Аз сабаби нақши тақвияти MOSFET, ID ва UDS тағир хоҳанд ёфт, яъне муқовимат байни қутби DS тағир ёфтааст, мо мушоҳида карда метавонем, ки сӯзан амплитудаи баланди гардиш дорад. Агар даст дарвозаро пахш кунад, гардиши сӯзан хеле хурд аст, яъне қобилияти пурқувваткунии MOSFET нисбатан заиф аст; агар сӯзан хурдтарин амале надошта бошад, ин нишон медиҳад, ки MOSFET вайрон шудааст.