Таҳлили MOSFETs такмилдиҳӣ ва тамомшавӣ

D-FET дар ғарази дарвозаи 0 аст, вақте ки мавҷудияти канал метавонад FET-ро гузаронад; E-FET дар ғарази дарвозаи 0 қарор дорад, вақте ки ягон канал вуҷуд надорад, FET-ро гузаронида наметавонад. ин ду намуди FETs хусусиятҳо ва истифодаи худро доранд. Умуман, FET-и мукаммал дар схемаҳои баландсуръат ва камқувват хеле арзишманд аст; ва ин дастгоҳ кор мекунад, он полярии дарвозаи bias voрехтан ва холй кардан шиддати якхела, он дар тарҳрезии схема қулайтар аст.

Воситаҳои ба истилоҳ мукаммалшуда: вақте ки VGS = 0 най ҳолати буридан аст, бо иловаи VGS дуруст, аксарияти интиқолдиҳандагон ба дарвоза ҷалб карда мешаванд ва ба ин васила интиқолдиҳандаҳоро дар минтақа "такмил медиҳанд" ва канали гузаронандаро ташкил медиҳанд. MOSFET-и мукаммалшудаи n-канал асосан як топологияи симметрии чап ва рост аст, ки нимноқили P-намуди тавлиди қабати изолятсияи филми SiO2 мебошад. Он дар нимноқилҳои навъи P як қабати изолятсионии филми SiO2 тавлид мекунад ва сипас ду минтақаи аз ҳад зиёд допшудаи N-ро тавассутифотолитография, ва электродҳоро аз минтақаи навъи N мебарад, яке барои дренажи D ва дигаре барои манбаи S. Дар қабати изолятсионии байни манбаъ ва дренаж ҳамчун дарвозаи G як қабати металли алюминий гузошта шудааст. Вақте ки VGS = 0 V , дар байни дренаж ва манбаъ як қатор диодҳо мавҷуданд, ки диодҳои пушт ба пушт доранд ва шиддат байни D ва S ҷараёнро байни D ва S ташкил намекунад. Ҷараён байни D ва S аз шиддати ба кор андохташуда ташаккул намеёбад.

Ҳангоми илова кардани шиддати дарвоза, агар 0 < VGS < VGS(th) бошад, тавассути майдони электрикии иқтидор, ки дар байни дарвоза ва субстрат ба вуҷуд омадааст, сӯрохиҳои полиони дар нимноқилҳои навъи P дар наздикии поёни дарвоза ба поён тела мешаванд ва қабати тунуки камшавии ионҳои манфӣ пайдо мешавад; дар айни замон, он олигонҳоро дар он ҷо барои гузаштан ба қабати рӯизаминӣ ҷалб мекунад, аммо шумораи онҳо маҳдуд ва нокифоя аст, то канали ноқилро ташкил кунад, ки дренаж ва манбаъро иртибот мекунад, аз ин рӯ барои ташаккули ID-и ҷории дренаж ҳанӯз нокифоя аст. боз хам зиёд карда шавад VGS, вақте ки VGS > VGS (th) (VGS (th) шиддати фурӯзон номида мешавад), зеро дар айни замон шиддати дарвоза нисбатан қавӣ буд, дар қабати рӯи нимноқилҳои навъи P дар наздикии поёни дарвоза дар зери ҷамъшавии бештар электронҳо, шумо метавонед хандак, дренаж ва манбаи иртиботро ташкил кунед. Агар шиддати манбаи дренаж дар ин вақт илова карда шавад, ҷараёни резиши метавонад ID ташкил карда шавад. электронҳо дар канали ноқилӣ дар поёни дарвоза ба вуҷуд меоянд, зеро сӯрохи интиқолдиҳанда бо қутбияти нимноқилҳои навъи P муқобил аст, бинобар ин онро қабати зидди типӣ меноманд. Вақте ки VGS афзоиш меёбад, ID афзоишро идома медиҳад. ID = 0 дар VGS = 0V ва ҷараёни дренаж танҳо пас аз VGS > VGS(th) ба амал меояд, бинобар ин, ин навъи MOSFET такмилдиҳии MOSFET номида мешавад.

Муносибати назоратии VGS-ро дар ҷараёни дренаж бо хатти каҷи iD = f(VGS(th))|VDS=const, ки каҷи характеристикии интиқол номида мешавад ва бузургии нишебии каҷи характеристикии интиқол, gm, тавсиф кардан мумкин аст. назорати ҷараёни дренажиро тавассути шиддати манбаи дарвоза инъикос мекунад. бузургии гм мА/В аст, аз ин рӯ gm-ро ҳам интиқолдиҳанда меноманд.