WSD100N15DN56G N-канал 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Шарҳи маҳсулоти WINSOK MOSFET
Шиддати WSD100N15DN56G MOSFET 150V, ҷараён 100А, муқовимат 6mΩ, канал N-канал ва баста DFN5X6-8 аст.
Минтақаҳои татбиқи WINSOK MOSFET
Таҷҳизоти барқии тиббӣ MOSFET, PDs MOSFET, дронҳои MOSFET, сигорҳои электронии MOSFET, асбобҳои асосии MOSFET ва асбобҳои барқии MOSFET.
Параметрҳои MOSFET
| Рамз | Параметр | Рейтинг | Воҳидҳо |
| VDS | Шиддати дренажӣ | 150 | V |
| VGS | Шиддати дарвоза-сарчашма | ±20 | V |
| ID | Ҷараёни дренажии доимӣ, ВGS@ 10V (ТC=25℃) | 100 | A |
| IDM | Ҷараёни дренажии импулс | 360 | A |
| EAS | Энергияи ягонаи набзи тарма | 400 | mJ |
| PD | Пардохти умумии нерӯ...C=25℃) | 160 | W |
| RθJA | Муқовимати гармӣ, пайвастшавӣ-муҳит | 62 | ℃/Вт |
| RθJC | Муқовимати гармидиҳӣ, гузаргоҳ | 0,78 | ℃/Вт |
| TSTG | Диапазони ҳарорати нигоҳдорӣ | -55 то 175 | ℃ |
| TJ | Диапазони Ҳарорати Ҷунбиши корӣ | -55 то 175 | ℃ |
| Рамз | Параметр | Шароит | Мин. | Навъи. | Макс. | Воҳиди |
| BVDSS | Шиддати шикастани дренаж-Манбаъ | VGS=0В, ИD=250уА | 150 | --- | --- | V |
| RDS(фаъол) | Дренажи статикӣ-Сарчашмаи муқовимат2 | VGS=10В, ИD=20А | --- | 9 | 12 | мΩ |
| VGS (ум) | Шиддати ҳадди ниҳоии дарвоза | VGS=VDS, ИD=250уА | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| IDSS | Сарчашмаи резиши ҷорӣ | VDS=100В, ВGS=0В, ТJ= 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Ҷараёни ихроҷи дарвоза-сарчашма | VGS=±20В, ВDS=0В | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Маблағи умумии дарвоза | VDS=50В, ВGS=10В, ИD=20А | --- | 66 | --- | nC |
| Qgs | Пардохти дарвоза-манбаъ | --- | 26 | --- | ||
| Qgd | Пардохти дарвоза-дрен | --- | 18 | --- | ||
| Td (дар) | Вақти таъхири фаъолкунӣ | VDD=50В,VGS=10В RG=2Ω, ID=20А | --- | 37 | --- | ns |
| Tr | Вақти эҳё | --- | 98 | --- | ||
| Td (хомӯш) | Вақти таъхири хомӯш | --- | 55 | --- | ||
| Tf | Вақти тирамоҳ | --- | 20 | --- | ||
| Cисс | Иқтидори вуруд | VDS=30В, ВGS=0V, f=1MHz | --- | 5450 | --- | pF |
| Кос | Иқтидори баромад | --- | 1730 | --- | ||
| Crss | Иқтидори интиқоли баръакс | --- | 195 | --- |
