WSD100N06GDN56 N-канал 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

махсулот

WSD100N06GDN56 N-канал 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

тавсифи кӯтоҳ:

Рақами Қисм:WSD100N06GDN56

BVDSS:60В

ID:100А

RDSON:3мОм 

Канал:Канали N

Баста:DFN5X6-8


Тафсилоти маҳсулот

Ариза

Тегҳои маҳсулот

Шарҳи маҳсулоти WINSOK MOSFET

Шиддати WSD100N06GDN56 MOSFET 60V, ҷараён 100А, муқовимат 3mΩ, канал N-канал ва баста DFN5X6-8 аст.

Минтақаҳои татбиқи WINSOK MOSFET

Таъминоти барқии тиббӣ MOSFET, PDs MOSFET, дронҳои MOSFET, сигорҳои электронии MOSFET, асбобҳои асосии MOSFET ва асбобҳои барқии MOSFET.

WINSOK MOSFET ба дигар рақамҳои маводи бренд мувофиқат мекунад

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS нимноқил PSMQC33N6NS1.POTENS POS692.

Параметрҳои MOSFET

Рамз

Параметр

Рейтинг

Воҳидҳо

VDS

Шиддати дренажӣ

60

V

VGS

Шиддати манбаи дарвоза

±20

V

ID1,6

Ҷараёни дренажии доимӣ TC = 25 ° C

100

A

TC = 100 ° C

65

IDM2

Ҷараёни дренажии импулс TC = 25 ° C

240

A

PD

Пардохти ҳадди аксар нерӯ TC = 25 ° C

83

W

TC = 100 ° C

50

СБМ

Ҷараёни тарма, набзи ягона

45

A

EAS3

Энергияи ягонаи набзи тарма

101

mJ

TJ

Ҳарорати ҳадди аксар

150

TSTG

Диапазони ҳарорати нигоҳдорӣ

-55 то 150

RθJA1

Пайванди муқовимати гармӣ ба муҳити атроф

Ҳолати устувор

55

/W

RθJC1

Муқовимати гармидиҳӣ-пайванд ба парванда

Ҳолати устувор

1.5

/W

 

Рамз

Параметр

Шароит

Мин.

Навъи.

Макс.

Воҳиди

Статикӣ        

V(BR)DSS

Шиддати шикастани дренаж-Манбаъ

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

Сифр Gate шиддати дренаж ҷорӣ

VDS = 48 В, VGS = 0 В

   

1

мкА

 

TJ=85°С

   

30

IGSS

Ҷараёни ихроҷи дарвоза

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

Дар бораи хусусиятҳо        

VGS(TH)

Шиддати ҳадди ниҳоии дарвоза

VGS = VDS, IDS = 250μA

1.2

1.8

2.5

V

RDS (фаъол)2

Дренаж-Сарчашмаи Муқовимати давлатӣ

VGS = 10V, ID = 20A

 

3.0

3.6

мΩ

VGS = 4.5V, ID = 15A

 

4.4

5.4

мΩ

Гузариш        

Qg

Маблағи умумии дарвоза

VDS = 30 В

VGS = 10V

ID=20A

  58  

nC

Qgs

Дарвоза - Пардохти ширӣ   16  

nC

Qgd

Пардохти дарвоза-дрен  

4.0

 

nC

td (дар)

Вақти таъхири фаъолкунӣ

ВГЕН=10В

ВДД=30В

ID=20A

RG = Ω

  18  

ns

tr

Вақти болоравии фаъол  

8

 

ns

td (хомӯш)

Вақти таъхири хомӯш   50  

ns

tf

Хомӯш кардани вақти тирамоҳ   11  

ns

Rg

Муқовимати Gat

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

0,7

 

Ом

Динамикӣ        

Сисс

Дар зарфият

VGS = 0V

VDS = 30 В f = 1 МГц

 

3458

 

pF

Кос

Иқтидори берунӣ   1522  

pF

Crss

Иқтидори интиқоли баръакс   22  

pF

Хусусиятҳои диодҳои дренажӣ ва рейтингҳои максималӣ        

IS1,5

Ҷараёни доимии манбаъ

VG=VD=0V, Ҷараёни қувва

   

55

A

ISM

Ҷараёни манбаи импулс3     240

A

VSD2

Шиддати пеши диод

ISD = 1A, VGS = 0V

 

0,8

1.3

V

trr

Вақти барқарорсозии баръакс

ISD=20А, длSD/дт=100А/мкс

  27  

ns

Qrr

Пардохти барқарорсозии баръакс   33  

nC


  • гузашта:
  • Баъдӣ:

  • Паёми худро дар ин ҷо нависед ва ба мо бифиристед